日研制出4Tbit/平方英寸存储密度的铁电存储体

据美国物理研究所出版的《应用物理》杂志报道，日本东北大学的科学家们在试验室中使用铁电存储技术将存储芯片的存储密度提升到了每平方英寸4Tbit，达成了铁电存储体的新世界纪录，如此等级的存储密度要比现有最高级的磁记录型硬盘的存储密度要高上7倍左右。

这种数据存储设备使用一个尖顶悬臂对铁电体存储材料进行读写操作。进行数据写入时，向尖顶发送电脉冲，这种电脉冲可以改变对应位置的电子极性和电子所在区域周围一小片圆型区域内硅基体的介电常数。进行数据读取时，则使用尖顶来侦测附近区域介电常数的变化值来读取数据。

负责该项目研究的Yasuo Cho博士称：“我们希望这种铁电体存储系统，至少在需要极大数据存储密度和对存储器体积要求很小的应用场合下，能扮演取代磁硬盘和闪存存储器的角色。“

在这项技术的早期研究过程中，研发者们曾经遇到过这样的问题：当需要在这种铁电体存储材料上连片写入位置连续的数据时，写入时产生的极化区会彼此融合在一起，导致极化区的面积超过了预定的尺寸，影响到了周边的存储区域。为此研究者们开发出了另外一项补救技术，这种技术能够预测这种连片写入数据的行为，并在写入此类数据时将发送给尖顶的电脉冲信号自动减小10%左右，这样才解决了这个问题。

尽管铁电体存储技术具有无需磁技术或热技术介入，仅需利用电学技术的优势，但是要将这种存储技术投入实用还需要作很大的努力，比如目前铁电体技术的数据读取速度和精度方面，以及铁电体基体部分的成本方面便还没有达到商用化的水平。不仅如此，传统的存储技术也一直在发展进步，其存储密度甚至有可能会超过铁电体，比如希捷公司便曾宣称他们预计传统存储技术的数据存储密度有望达到50Tbit/平方英寸。