当前位置:首页 > 嵌入式 > 嵌入式教程

;;; Cl和C2是交流耦合电容。本电路中C1=C2=lOpUF,都是铝电MSP430F2272IRHAR解电容器。当然,铝电解电容器的极性都是以直流电位高——即电路一侧为Cl、C2的正极。
;;; 由Cl与偏置电路的输入阻抗(是Ri与R2的交流并联,在该电路中为lMtQ∥1MQ= 500kfl)构成的输入端高通滤波器的截止频率cl为:;;;;;;;;;;;;;;
;;
;;; 电源的去耦电容器
;;; C3和C4是电源的去耦电容器,C3=0.lluF,C4 =lOpLF。
;;; 源极跟随器的频率特性好,由于输入输出信号同相以及栅极的输入阻抗非常高等原因,有时会发生同相信号从源极返回到栅极的现象——加正反馈,电路在高频下有时会产生振荡。
;;; 因此有必要切实地实行电源的去耦。特别是在高频情况下为了降低电源的阻抗,要将小容量电容器C3以最短的距离连接在FET的漏极与源极电阻Rs的接地电之间。

本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除( 邮箱:macysun@21ic.com )。
换一批
延伸阅读
关闭