Renesas用低功耗技术开发下一代手机芯片

    详细技术特点是：

    （1）    降低工作电流的超标量CPU芯片技术：

     指针控制管道技术（一个指令周期只做一次flip-flop更新，降低了约25％的功率）、指令缓存器激活率降低技术（指令缓存器划分为很多块，根据状态，只有访问的块可以操作。减少了激活率并且降低了与访问高速缓存相关的电流消耗约45％）。

    （2）    待机技术实现快速状态转换同时，最小化待机电流：

    芯片电路划分为不同的区域，每个区域包含一个供电开关；在“持续待机模式”，只给SRAM和控制寄存器供电，而大多数芯片面积，包括CPU和高速缓存，都关闭供电开关，大大降低待机电流。

    使用该技术生产的下一代手机芯片的测试结果：如果采用0.13 CMOS 工艺，在200 MHz CPU（处理性能360 MIPS）工作频率下，功率消耗80mW， 那么对于每单位功率处理性能达到4500 MIPS/W，转换到激活状态时间最大为3毫秒，同时待机电流不大于100 mA。

    该技术可用于便携式信息设备如手机，以及提供高性能、低功耗的大规模集成芯片技术。该技术将在2004年2月开始，由San Francisco主办的 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC)上公布。