SK海力士斥巨资投资存储器，被警告产能过剩

据海外媒体报道，从去年下半到今年上半以来，DRAM 均价飙升 17%、NAND 均价攀涨 12%，主要是由于存储器进入制程转换，产能大减，使得厂商无不撒钱扩产。但是 IC Insights 警告，过度投资恐怕会导致产能过剩。

韩国存储器大厂 SK 海力士(SK hynix)26 日表示，今年将斥资 86.1 亿美元(约 9.6 兆韩圜)，进行设备投资。此一金额比年初宣布数字高出 37%，也比该公司去年的设备投资总额高出 53%。

SK 海力士加大投资让新厂提前完工。该公司主管 Lee Myung-young 说，生产 DRAM 的中国无锡厂和生产 NAND Flash 的韩国清州(Cheongju)厂，原定完工时间是 2019 年上半年，如今将提早至 2018 年第四季，比预定时间提早半年。

SK 海力士强调，新厂落成后，存储器产出不至于暴增，估计 DRAM 和 NAND Flash 产能只会增加 3~5%，呼吁市场放心。业界人士分析，资金将多用于技术升级。

然而存储器厂商大手笔投资，仍让 IC Insights 忧心忡忡。IC Insights 18 日发布新闻称，存储器以往市况显示，过度投资常会造成产能过剩、削弱价格。未来几年三星电子、SK 海力士、美光、英特尔、东芝 / SanDisk、武汉新芯(XMC) / 长江存储(Yangtze River Storage)都大举提高 3D NAND Flash 产能，未来可能还有中国新厂商加入战场，3D NAND Flash 产能过多的可能性“非常高”。

此外，DRAM 和 NAND 的价格涨势也逐渐放缓(见下图)。尽管 DRAM 均价涨势在 2016 年第四季触顶，但是直到 2017 年 Q2 仍表现强健。IC Insights 估计，今年 Q3 DARM 均价将略为上扬，Q4 则微幅下跌，代表 DRAM 上升循环告终。