NAND闪存产能提高，或将不再涨价

今年第三季度，NAND闪存依然处于供给吃紧的状态，主要是颗粒厂面向3D工艺的转型步伐较慢，低于预期。

而需求方面，手机、服务器、数据中心依然表现强势。

不过，来自集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)的最新报告称，在明年，NAND闪存的市场将达到一种稳态局面。其中，供给侧的产能将提升42.9%，而需求侧，增长预计在37.7%。

目前在3D闪存方面，三星的转产最为顺利，已经在Q3开始量产64层堆叠，而其它厂商的64层甚至72层则仍需要2018年落地。

据悉，在明年的所有3D闪存中，3D闪存出货的占比预计将最高可达70%，其中三星预计60%～70%、SK海力士预计40%～50%、东芝预计50%、美光/Intel合计预计在40%～50%。