2018一季度全球内存市场“喜提”历史新高

根据 TrendForce 存储器储存研究(DRAMeXchange)调查显示，2018 年第一季的 DRAM 价格走势，除了绘图用存储器(graphic DRAM)受惠于基期较低以及虚拟挖矿(cryptocurrency)需求的增温，带动价格有 15% 显著上涨外，其余各应用别的存储器在第一季约有 3-6% 不等的季涨幅，今年第一季全球 DRAM 总营收较 2017 年第四季成长 5.4%，再创新高。

DRAMeXchange 资深研究协理吴雅婷指出，观察第二季价格走势，PC-OEM 厂已陆续议定第二季合约价格。就一线大厂订价来看，均价已来到 34 美元，较上一季平均涨幅约达 3%。从市场面来观察，由于服务器需求较佳、毛利高、获利空间较大，一线 DRAM 大厂持续将产能转往服务器存储器，加上全球 DRAM 产能将于年底才会逐渐开出，使得标准型记忆仍维持价格上扬格局。

观察全球 DRAM 大厂营收表现，三星依然稳坐 DRAM 产业的龙头，第一季营收再度创下历史新高，达 103.6 亿美元，较上季成长 2.9%;SK 海力士第一季营收达 64.3 亿美元，较前季成长 2.2%，两大韩厂第一季的出货量受到手机需求疲弱影响皆略有下滑，营收市占率分别为 44.9% 与 27.9%，合计约 73%，较前一季微幅下降。

美光集团仍旧维持第三，不过美光在报价上相对积极，今年上半年持续扮演市场中的价格领导者(price leader)，价格上涨幅度高于其他两家韩厂，第一季价格上扬幅度超过 10%，带动营收达 52.1 亿美元，季增 14.3%，市占率较前一季提升约 2 个百分点，来到 22.6%。

从营益率表现来看，三星第一季营业利益率再创历史新高，由 64% 提升至 69%;SK 海力士亦从第四季的 59% 再提升至 61%，两家韩厂营业利益率双双突破 6 成;美光则从 53% 再度拉升至 58%。展望第二季，受惠于 DRAM 价格持续上涨与制程转进强化成本效益，三大厂在营收表现上可望再创新猷，各家获利率亦可望进一步提升。不过，以三星为例，其营业利益率高达 69%，意味着毛利率已突破 8 成水位，显示 DRAM 原厂获利能力已远高于买方能接受的程度，报价上扬幅度可能将趋缓。

观察技术面，三星今年的目标除了维持 18nm 制程高产出占比(约 5-6 成)，即将投入的平泽厂 2 楼 DRAM 产能，也将往下一代 16nm 制程转进。至于 SK 海力士，已于去年底开始导入 18nm 的生产，然而进入 1Xnm 世代制程难度高、转换不易，SK 海力士目前仍致力于提升其 18nm 的良率，其扩厂计划则维持不变，中国无锡新建的第二座 12 寸厂仍照进度今年底前完工，最快要到 2019 上半年才会开始贡献产出。而美光方面，中国台湾美光存储器(原瑞晶)17nm 已完成 100% 转换，中国台湾美光晶圆科技(原华亚科)则于第二季开始进行 20nm 往 17nm 的转换，预计今年底将可望有半数产能转往 17nm 生产。

台系厂商部分，南亚科受到转进 20nm 带来明显的位成长，加上价格持续走扬，第一季营收较前一季大幅成长 15.1%。20nm 的成本效益更带动营业利益率提升至 44.3%，较上季成长 5 个百分点。展望未来，南亚科在 20nm 良率将继续向上，透过产品组合持续优化的带动，获利表现将可望进一步提升。

力晶科技方面，除了替晶豪科、爱普等 IC 设计业者代工生意成长外，力晶本身 DRAM 事业的产品报价亦上扬，带动 DRAM 营收较上季成长 8.2%;华邦方面 DRAM 营收则约略持平，季成长 1.2%，主要为利基型存储器报价成长幅度较小所致。