格芯 7 纳米测试良率已经提高到65%

因竞争对手台积电、三星陆续在2018 年挺进7 纳米先进制程，格芯(GLOBALFOUNDRIES)日前也宣布，该公司的7 纳米制程不但在测试良率已提升到65%，未来将按照时程使用EUV 技术的商用和普及，并与客户AMD 展开合作。根据格芯先前公布，7 纳米制程将在2018 年推出，并在年底量产。

根据格芯全球销售和业务发展高级副总裁Mike Cadigan 日前在中国上海举办的GTC 技术大会演讲表示，随着5G 即将开始商用，资料传输的速度越来越高，手机需要满足高速且大量的资料传输，需要不同以往的射频元件。在高性能运算需求方面，格芯将提供FinFET 制程，从14LPP 到12LP，再到7LP 等各节点的制程技术。

格芯首席技术长兼全球研发高级副总裁Gary Patton 指出，目前7 纳米制程的7LP EUV 技术已有积极进展。7 纳米LP 制程预期将比14 纳米制程效能提升40%、功耗降低60%。目前，7 纳米测试良率已经提高到65%，将按计划进行EUV 技术的商用和普及，并且与客户AMD 合作。

Gary Patton 坦言，在EUV 技术上，格芯的7 纳米制程确实面临很多挑战，包括如何进一步提升良率、光罩防尘膜瑕疵等问题，必须努力克服才能投入大规模量产，目标是将良率提高到95%。格芯目前采取分阶段采用EUV 技术的策略，第一阶段将不采用光罩防尘膜(pellicle)，第二阶段才会使用。

格芯进一步指出，其新开发的7 纳米FinFET 制程技术充分利用了其在14 纳米FinFET 制程技术上的大量制造经验，该技术于2016 年初2 月8 日开始在Fab 8 晶圆厂中正式生产之后，格芯已为广大的客户提供了「一次便成功」的设计。

为了加快7LP 的量产进度，格芯正在持续投资最新的研发设备能力，包括在2017 年下半年首次购入两组极端紫外线(EUV)光刻工具。不过，7LP 的初始量产的性能提升将依赖传统的光刻方式，而当具备大量生产条件之际，将逐步使用EUV 光刻技术。

除了先进制程，传统的成熟制程一般很难满足所有应用的要求，物联网(IOT)对低功耗的要求更高，因此低功耗高性价比要求的应用，格芯也针对物联网、行动通信、射频芯片提供22FDX、12FDX 等制程解决方案。

Gary Patton 指出，目前格芯20、22 纳米已进入量产准备阶段，且2018 年底前已有15 个设计定案，并陆续有135 家客户展开初期接触。他指出，目前12FDX 性能已经90% 达到目标，预计2018 年下半年进入试产，2019 年上半年正式量产。

格芯在中国的布局方面，受瞩目的成都晶圆厂Fab 11(11 厂)厂房施工建设历时8 个多月，一期厂房即将于11 月初封顶，项目进展十分顺利。预计在2018 年完工时，将成为中国境内最大的晶圆厂，并成为中国最先进12 寸晶圆厂之一。同时，Fab 11 也将成为格芯 22FDX 制程的生产中心。

预计先期Fab 11 会以生产0.13 微米到0.18 微米的主流成熟技术产品为主，每月产能为20,000 片。到2019 年下半年，将进行高度差异化的22FDX(FD-SOI)制程量产，届时产量将提高至每月65,000 片。