TI 高性能模拟--电源控制产品系列
时间：2006-11-13 03:56:00
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[导读]介绍德州仪器(TI)高性能模拟——电源控制产品系列。
TPS2049 单通道 100ma 功率开关
TPS2049 功率分配开关适用于可能出现较高容性负载与短路情况的应用。该器件采用 600mΩ N 通道 MOSFET 功率开关，适用于只需一个电源分配路径的电源分配系统。该开关由一个逻辑使能输入端控制。内部充电泵提供栅极驱动，以控制功率转换的上升时间与下降时间，从而最小化开关期间的电流突波。充电泵无需外部组件，即可在低至 2.7V 的电源电压下工作。
如果输出负载超过限流阈值或出现短路，则器件会切换至恒流模式，将过流 (OC) 逻辑输出端电平拉低，从而将输出电流限制在安全水平内。如果持续高过载与短路提高开关功耗，导致结温上升，那么热保护电路会关闭开关，避免损坏。一旦器件足够冷却，就会自动从热关断状态中恢复。内部电路确保开关在有效输入电压出现前保持为关闭状态。这种功率分布开关通常将电流限度设置为150mA。
• 100mA 恒流
• 600mΩ 高侧 MOSFET
• 过热与短路保护
• 工作电压范围：2.7 V 至 5.5 V
• 0.6ms 典型上升时间
• 欠压锁定
• 抗尖峰脉冲故障报告 (OC)
• 43µA 静态电源电流
• 1µA 最大待机电源电流
• 8 引脚 SOIC 封装
• 环境温度范围：-40°C 至 85°C
• 2µS 短路响应时间
TPS40101 中电压输入同步降压控制器
TPS40101 是一款宽输入同步降压控制器，具有可编程闭环软启动、可编程 UVLO 与滞后，以及可编程限流（有打嗝恢复功能，能够与其他时基同步）等功能。TPS40101 集成了用于外部 N 通道 MOSFET 的 MOSFET 栅极驱动器。栅极驱动逻辑器件集成了自适应反交越传导电路，以提高效率，降低整流器 MOSFET 中的二极管电导。
• 输入电压范围为 4.5V～18V
• 100kHz～1MHz电压模式控制
• 输出电压范围为 0.69V～5.5V
• 同步、比例式与顺序启动排序技术
• 遥感（通过独立的 GND/PGND）
• 24 引脚 QFN 封装
• 热关断
• 可编程过流保护
• 电源状态良好指示
• 1%、690mV 参考电压
• 输出容限为 3％ 与 5％
• 可编程 UVLO 及滞后
• 频率同步
• 应用范围
o 服务器
o 网络设备
o 电信设备
o 电源模块
TPS75103 低压降匹配 LED 电流源
TPS7510x 线性低压降 (LDO) 匹配 LED 电流源专门针对低功耗小键盘与导航台 LED 背景照明应用而设计。该器件可为多达四个非匹配 LED（两个 LED 为一组，共两组，均为共阴极结构）提供恒定电流。在不具备外置电阻器的情况下，电流源默认为出厂时设定，预设电流电平的精度为 ±0.5%（典型值）。可选的外置电阻器可用于设置具有更高精度的用户可编程值的初始亮度。通过向每个使能引脚输入脉宽调制 (PWM) 信号，可将亮度从关闭到全部变亮 (full brightness) 之间进行调节。每组均有独立的使能与亮度控制功能，但四个通道的电流匹配是同时完成的。 输入电源范围理想适用于单体锂离子电池供电的设备，TPS7510x 可为每个 LED 提供高达 25mA 的电流。
由于无需采用内部开关信号，所以消除了电磁干扰 (EMI) 的影响。TPS7510x 采用超小型 9 焊球 0.4mm 焊球间距芯片级封装 (WCSP) 与 3mm × 3mm QFN 两种封装版本，这种非常小巧的整体解决方案尺寸使其非常适合移动手持终端与便携式背景照明应用。 该器件的工作温度 TJ 规定在 -40°C ～ +85°C的整个范围内。
• 具备 2% LED 到 LED 匹配的调节输出电流
• 共阴极结构，以每个 25mA 的功率驱动多达 4 个 LED
• 锂离子电池应用中，28mV 典型压降电压扩展了可用电源范围。
• 采用 PWM 信号进行亮度控制
• 每组 LED（每组两个 LED，共两组）均具有独立的启动及 PWM 亮度控制功能。
• 无需内部开关信号 —— 消除了 EMI
• 默认的 LED 电流可节省外部组件
o 利用创新的出厂 EEPROM 编程技术，可以将默认值设定在 3mA～10mA 的范围（步进增量为 1mA）
o 可选的外部电阻器可实现高精度、用户可编程电流等功能
• 过流与过温保护功能
• 提供芯片级封装 (WCSP) 与 3mm × 3mm QFN（2007 年第一季度开始供货）两种封装版本
• 应用范围
o 小键盘与显示屏背景照明
o 白光及彩色 LED
o 手机
o PDA 与智能电话
无电容、NMOS、150mA 低压降寄存器具有反向电流保护器件 TPS731125
TPS731xx 系列低压降 (LDO) 线性稳压器采用新型拓扑：电压输出器配置中包含 NMOS 导通元件。该拓扑在使用外部电容器的情况下非常稳定，且具有低 ESR 特性，甚至可以在无电容器的情况下工作。 该器件还具有较高的反向阻断电流（低反向电流）及接地引脚电流，输出电流的各项值几乎均保持恒定。
TPS731xx 系列器件采用高级 BiCMOS 工艺，在实现极低压降电压与接地引脚电流的同时可以达到较高的精度。其未启动状态下的电流消耗不足 1µA，因此非常适合便携式应用。由于输出噪声极低（CNR 为 0.1µF 时的输出噪声仅为 30µVRMS），因此非常适合为 VCO 供电。 这些器件的保护功能包括热关断与反向电流保护 (foldback current limit) 等。
• 无需输出电容或其它种类的电容也能稳定工作
• 输入电压范围为 1.7V 至 5.5V
• 超低压降电压：30mV（典型值）
• 出色的负载瞬态响应（无论是否具备可选输出电容均可）
• 新型 NMOS 拓扑提供极低的反向泄漏电流
• 低噪声：10kHz 至 100kHz 范围内仅为 30µVRMS（典型值）
• 0.5% 初始精度
• 多种线路、负载及温度下均能保持 1% 整体精度
• 断电模式下最大 IQ 不足 1µA
• 热关断及指定最小／最大限流保护
• 具有多种输出电压版本
o 固定输出范围为 1.20V ～ 5.0V
o 可调节输出范围为 1.20V ～ 5.5V
o 定制输出现已提供
• 应用范围
o 便携式设备／电池供电设备
o 用于开关电源的后置稳压
o 噪声敏感型电路（如 VCO）
o 针对 DSP、FPGA、ASIC 及微处理器的负载点稳压
TPS2049 功率分配开关适用于可能出现较高容性负载与短路情况的应用。该器件采用 600mΩ N 通道 MOSFET 功率开关，适用于只需一个电源分配路径的电源分配系统。该开关由一个逻辑使能输入端控制。内部充电泵提供栅极驱动，以控制功率转换的上升时间与下降时间，从而最小化开关期间的电流突波。充电泵无需外部组件，即可在低至 2.7V 的电源电压下工作。
如果输出负载超过限流阈值或出现短路，则器件会切换至恒流模式，将过流 (OC) 逻辑输出端电平拉低，从而将输出电流限制在安全水平内。如果持续高过载与短路提高开关功耗，导致结温上升，那么热保护电路会关闭开关，避免损坏。一旦器件足够冷却，就会自动从热关断状态中恢复。内部电路确保开关在有效输入电压出现前保持为关闭状态。这种功率分布开关通常将电流限度设置为150mA。
• 100mA 恒流
• 600mΩ 高侧 MOSFET
• 过热与短路保护
• 工作电压范围：2.7 V 至 5.5 V
• 0.6ms 典型上升时间
• 欠压锁定
• 抗尖峰脉冲故障报告 (OC)
• 43µA 静态电源电流
• 1µA 最大待机电源电流
• 8 引脚 SOIC 封装
• 环境温度范围：-40°C 至 85°C
• 2µS 短路响应时间
TPS40101 中电压输入同步降压控制器
TPS40101 是一款宽输入同步降压控制器，具有可编程闭环软启动、可编程 UVLO 与滞后，以及可编程限流（有打嗝恢复功能，能够与其他时基同步）等功能。TPS40101 集成了用于外部 N 通道 MOSFET 的 MOSFET 栅极驱动器。栅极驱动逻辑器件集成了自适应反交越传导电路，以提高效率，降低整流器 MOSFET 中的二极管电导。
• 输入电压范围为 4.5V～18V
• 100kHz～1MHz电压模式控制
• 输出电压范围为 0.69V～5.5V
• 同步、比例式与顺序启动排序技术
• 遥感（通过独立的 GND/PGND）
• 24 引脚 QFN 封装
• 热关断
• 可编程过流保护
• 电源状态良好指示
• 1%、690mV 参考电压
• 输出容限为 3％ 与 5％
• 可编程 UVLO 及滞后
• 频率同步
• 应用范围
o 服务器
o 网络设备
o 电信设备
o 电源模块
TPS75103 低压降匹配 LED 电流源
TPS7510x 线性低压降 (LDO) 匹配 LED 电流源专门针对低功耗小键盘与导航台 LED 背景照明应用而设计。该器件可为多达四个非匹配 LED（两个 LED 为一组，共两组，均为共阴极结构）提供恒定电流。在不具备外置电阻器的情况下，电流源默认为出厂时设定，预设电流电平的精度为 ±0.5%（典型值）。可选的外置电阻器可用于设置具有更高精度的用户可编程值的初始亮度。通过向每个使能引脚输入脉宽调制 (PWM) 信号，可将亮度从关闭到全部变亮 (full brightness) 之间进行调节。每组均有独立的使能与亮度控制功能，但四个通道的电流匹配是同时完成的。 输入电源范围理想适用于单体锂离子电池供电的设备，TPS7510x 可为每个 LED 提供高达 25mA 的电流。
由于无需采用内部开关信号，所以消除了电磁干扰 (EMI) 的影响。TPS7510x 采用超小型 9 焊球 0.4mm 焊球间距芯片级封装 (WCSP) 与 3mm × 3mm QFN 两种封装版本，这种非常小巧的整体解决方案尺寸使其非常适合移动手持终端与便携式背景照明应用。 该器件的工作温度 TJ 规定在 -40°C ～ +85°C的整个范围内。
• 具备 2% LED 到 LED 匹配的调节输出电流
• 共阴极结构，以每个 25mA 的功率驱动多达 4 个 LED
• 锂离子电池应用中，28mV 典型压降电压扩展了可用电源范围。
• 采用 PWM 信号进行亮度控制
• 每组 LED（每组两个 LED，共两组）均具有独立的启动及 PWM 亮度控制功能。
• 无需内部开关信号 —— 消除了 EMI
• 默认的 LED 电流可节省外部组件
o 利用创新的出厂 EEPROM 编程技术，可以将默认值设定在 3mA～10mA 的范围（步进增量为 1mA）
o 可选的外部电阻器可实现高精度、用户可编程电流等功能
• 过流与过温保护功能
• 提供芯片级封装 (WCSP) 与 3mm × 3mm QFN（2007 年第一季度开始供货）两种封装版本
• 应用范围
o 小键盘与显示屏背景照明
o 白光及彩色 LED
o 手机
o PDA 与智能电话
无电容、NMOS、150mA 低压降寄存器具有反向电流保护器件 TPS731125
TPS731xx 系列低压降 (LDO) 线性稳压器采用新型拓扑：电压输出器配置中包含 NMOS 导通元件。该拓扑在使用外部电容器的情况下非常稳定，且具有低 ESR 特性，甚至可以在无电容器的情况下工作。 该器件还具有较高的反向阻断电流（低反向电流）及接地引脚电流，输出电流的各项值几乎均保持恒定。
TPS731xx 系列器件采用高级 BiCMOS 工艺，在实现极低压降电压与接地引脚电流的同时可以达到较高的精度。其未启动状态下的电流消耗不足 1µA，因此非常适合便携式应用。由于输出噪声极低（CNR 为 0.1µF 时的输出噪声仅为 30µVRMS），因此非常适合为 VCO 供电。 这些器件的保护功能包括热关断与反向电流保护 (foldback current limit) 等。
• 无需输出电容或其它种类的电容也能稳定工作
• 输入电压范围为 1.7V 至 5.5V
• 超低压降电压：30mV（典型值）
• 出色的负载瞬态响应（无论是否具备可选输出电容均可）
• 新型 NMOS 拓扑提供极低的反向泄漏电流
• 低噪声：10kHz 至 100kHz 范围内仅为 30µVRMS（典型值）
• 0.5% 初始精度
• 多种线路、负载及温度下均能保持 1% 整体精度
• 断电模式下最大 IQ 不足 1µA
• 热关断及指定最小／最大限流保护
• 具有多种输出电压版本
o 固定输出范围为 1.20V ～ 5.0V
o 可调节输出范围为 1.20V ～ 5.5V
o 定制输出现已提供
• 应用范围
o 便携式设备／电池供电设备
o 用于开关电源的后置稳压
o 噪声敏感型电路（如 VCO）
o 针对 DSP、FPGA、ASIC 及微处理器的负载点稳压
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