台积电12寸新厂南北齐攻 总投资额上看60亿美元

随著联电、中芯等竞争者45纳米制程推展进程加快，晶圆代工龙头台积电决定扩大投资力道，全面拉开与竞争对手差距，台积电计划南、北开攻，启动新竹、南科12寸晶圆厂全新扩产计画，总投资额将上看60亿美元，预计2010年下半起展开装机。由于台积电先进制程扩产及良率将成为2010年重点营运主轴，亦将牵动内部人事异动，业界传出负责先进制程营运的副总刘德音，极可能擢升为空缺许久的营运长(COO)。不过，台积电26日并未证实上述说法。

半导体业者表示，中芯在上海技术论坛宣布45纳米制程近日即将投产，加上联电扩大布建新加坡生产基地Fab 12i在45／40纳米制程产能，迫使向来在先进制程领先的台积电，不得不扩大投资力道，以保持在产能与技术领先，并稳住晶圆代工一哥地位。因此，台积电本周将登场的法说会上，预料将宣布对2010年资本支出走向看法，其中，12寸厂扩建将是众所瞩目焦点，且预料台积电11月董事会亦将针对扩产及资本预算进行讨论。

半导体设备业者指出，台积电2010年资本支出将达30亿美元，其中有部分资金将投入新一波12寸厂扩产计画，台积电整个12寸晶圆厂扩产计画规模相当惊人，将同时启动新竹、南科12寸厂超大晶圆厂(GigaFab)扩产，包括新竹Fab 12第5期，以及南科Fab 14第4期，总投资金额估计可能上看60亿美元。

半导体业者指出，近期台积电Fab 12第5期已悄悄完成整地，预计2010年起开始兴建厂房，待厂办与无尘室工程完成后，2010年10月可望进行装机；至于南科12寸厂Fab 14第4期亦预计在2010年底导入机器设备，预计2座厂产能各约单月3.5万片，并将投入45／40纳米以下制程技术研发及生产。

事实上，联电自2009年第3季起于台南12寸厂Fab 12A展开45／40纳米制程投片，为大客户赛灵思(Xilinx)代工可程序逻辑闸阵列(FPGA)芯片，联电为扩大产能，并抢攻市场占有率，亦将在新加坡生产基地Fab 12i积极启动扩产计画。设备业者表示，目前包括德仪(TI)、恩威迪亚(NVIDIA)、超微(AMD)都有相关合作案，手机芯片大厂英飞凌 (Infineon)及联发科亦有进入45／40纳米制程计画，这让台积电必须得加速先进制程扩产脚步。