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DDR3时代来临 封测受惠最大
时间：2009-12-25 07:29:00
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[导读]英特尔将在明年初美国消费性电子展（CES）中，正式推出Nehalem、Westmere、Atom等十余款支持DDR3处理器及芯片组，可望推动DDR3在明年登上市场主流位置。国内外DRAM厂主流产品线已由70奈米DDR2快速转进50奈米DDR3，随
英特尔将在明年初美国消费性电子展（CES）中，正式推出Nehalem、Westmere、Atom等十余款支持DDR3处理器及芯片组，可望推动DDR3在明年登上市场主流位置。国内外DRAM厂主流产品线已由70奈米DDR2快速转进50奈米DDR3，随着DDR3封装制程改变及测试时间拉长，包括力成（6239）、泰林（5466）、福懋科（8131）、华东（8110）等DRAM封测厂受惠最大，股价昨日也全部创下今年新高。
英特尔将于CES展中推出高达17款新处理器，包括45奈米Nehalem、32奈米Westmere、代号为Pine Trail的Atom处理器等，搭配处理器的芯片组如Ibex Peak、Tiger Point等也会如期推出。而值得注意之处，是英特尔明年出货的处理器及芯片组，将会全面支持DDR3，所以DDR3将成明年DRAM市场主流规格，DDR2将陆续退出主流市场。
为了配合市场需求转向，国际DRAM厂如三星、海力士、尔必达、美光等，第3季后已经开始以50奈米浸润式制程（immersion）量产DDR3，国内DRAM厂虽然进度较慢，但包括南亚科、华亚科、力晶、瑞晶等，今年底至少也有3成产能会转换至DDR3。
上游DRAM厂加速转进50奈米DDR3世代，后段封测厂自然跟着转换制程，只不过跟上一世代的70奈米DDR2产品相比较，DDR3有两项技术上的改变，一是微影技术改为浸润式制程，二是要将铝制程导线改成低介电（low-k）的铜制程导线。
也因此，DDR3封装制程将由传统的60或84植球数、改为78或96植球数的闸球数组封装（BGA），测试上也需延长速度及功能的测试时间，此一改变对封测厂将十分有利。
封测业者表示，DDR3因制程改变，单颗封装成本将由0.15美元增加到0.25美元，而测试时间拉长至500秒至600秒左右，较DDR2增加约25％至30％，所以单颗测试成本也由0.2美元增加到0.3美元。整体来看，封测成本将由0.35美元增加到0.55美元，增幅高达6成，有助于提升封测厂的平均接单价格（ASP），加上明年第1季封测代工价将调涨，毛利率将会有十分明显的提升。
英特尔将于CES展中推出高达17款新处理器，包括45奈米Nehalem、32奈米Westmere、代号为Pine Trail的Atom处理器等，搭配处理器的芯片组如Ibex Peak、Tiger Point等也会如期推出。而值得注意之处，是英特尔明年出货的处理器及芯片组，将会全面支持DDR3，所以DDR3将成明年DRAM市场主流规格，DDR2将陆续退出主流市场。
为了配合市场需求转向，国际DRAM厂如三星、海力士、尔必达、美光等，第3季后已经开始以50奈米浸润式制程（immersion）量产DDR3，国内DRAM厂虽然进度较慢，但包括南亚科、华亚科、力晶、瑞晶等，今年底至少也有3成产能会转换至DDR3。
上游DRAM厂加速转进50奈米DDR3世代，后段封测厂自然跟着转换制程，只不过跟上一世代的70奈米DDR2产品相比较，DDR3有两项技术上的改变，一是微影技术改为浸润式制程，二是要将铝制程导线改成低介电（low-k）的铜制程导线。
也因此，DDR3封装制程将由传统的60或84植球数、改为78或96植球数的闸球数组封装（BGA），测试上也需延长速度及功能的测试时间，此一改变对封测厂将十分有利。
封测业者表示，DDR3因制程改变，单颗封装成本将由0.15美元增加到0.25美元，而测试时间拉长至500秒至600秒左右，较DDR2增加约25％至30％，所以单颗测试成本也由0.2美元增加到0.3美元。整体来看，封测成本将由0.35美元增加到0.55美元，增幅高达6成，有助于提升封测厂的平均接单价格（ASP），加上明年第1季封测代工价将调涨，毛利率将会有十分明显的提升。
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