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英特尔在2010年VLSI技术研讨会上发布创新成果
时间：2010-06-28 10:17:59
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[导读]日前，在美国夏威夷举行的2010年超大规模集成电路技术研讨会(2010SymposiaonVLSITechnologyandCircuits)上，英特尔发布了多篇重要技术研究论文，展示了英特尔在计算创新领域的不懈追求。1.可读懂人脑电波的48内核单芯
日前，在美国夏威夷举行的2010年超大规模集成电路技术研讨会(2010SymposiaonVLSITechnologyandCircuits)上，英特尔发布了多篇重要技术研究论文，展示了英特尔在计算创新领域的不懈追求。
1.可读懂人脑电波的48内核单芯片云计算机
想象一下，未来笔记本电脑的视觉功能可媲美人的眼睛，准确地看到物体的运动！你可以在网上购物时使用笔记本电脑的3D照相机和显示器，并可看到一个自己的“镜像”——也就是模拟你试穿某件心仪的衣服时，能看到你走动、转身时的效果，判断服装颜色如何搭配你的肤色。
英特尔研究院的研究人员展示的这一实验型48内核英特尔处理器，可以比这个效果做得更好。一些研究人员相信，用这一处理器制造的未来计算机，甚至能够读懂脑电波——只用简单的一个命令即可实现！
48内核处理器的长期目标，是加强单芯片计算机的云功能，以激发全新的软件应用和人机界面创新。
2.基于32纳米制程，将射频和片上系统整合
英特尔是世界上唯一出货32纳米(1纳米相当于1米的十亿分之一)制程产品的半导体厂商，也是唯一一家采用高-k/金属栅极技术的公司。这种技术提供了更卓越的处理器性能和能效。
现在，英特尔的工程师们已经开发出一种新版本的芯片制造工艺技术——首次将射频功能和系统芯片(SoC)整合，可满足移动通信设备对低功耗芯片的需求。
新增加的功能系列包括：高频性能的三晶体管架构、很低的漏电功耗、优秀的噪声性能和高击穿功率放大器晶体管。最后一项对于CMOS功率放大器集成Wi-Fi、WiMAX、Cellular、GPS等射频应用来说是必需的。新工艺也通过DNW层和高电阻底层提供了噪声隔离，还包括高质量电感、电阻和变容二极管。
据称，这是英特尔32纳米制程技术的第三代：第一代面向处理器，第二代面向系统芯片，第三代则提供射频和系统芯片的集成。
3.研发22纳米更大容量存储器
现在的CPU通常包含大容量片上高速缓存存储器，以加快代码和数据的存取，从而提高整体性能和降低功耗。英特尔的工程师们正在寻找途径，使这些存储更加密集，一方面增加其容量并提高性能，另一方面缩小其尺寸以降低生产成本。
英特尔的方案是用浮体单元(floatingbodycell，FBC)来替代当前使用的6晶体管SRAM单元。英特尔在2010年超大规模集成电路技术研讨会展示了其研发进展，在一篇论文中介绍了22纳米的FBC存储器，适用于大批量Bulk晶圆生产，早期试验表明，它比绝缘硅(SOI)晶圆在成本上便宜很多；另外一篇论文介绍了如何在一个FBC存储器的背栅(backgate)中选择性地掺入杂质，而不污染设备的其它部分，这对于一个22纳米的微小元件来说是一个“高难动作”。
1.可读懂人脑电波的48内核单芯片云计算机
想象一下，未来笔记本电脑的视觉功能可媲美人的眼睛，准确地看到物体的运动！你可以在网上购物时使用笔记本电脑的3D照相机和显示器，并可看到一个自己的“镜像”——也就是模拟你试穿某件心仪的衣服时，能看到你走动、转身时的效果，判断服装颜色如何搭配你的肤色。
英特尔研究院的研究人员展示的这一实验型48内核英特尔处理器，可以比这个效果做得更好。一些研究人员相信，用这一处理器制造的未来计算机，甚至能够读懂脑电波——只用简单的一个命令即可实现！
48内核处理器的长期目标，是加强单芯片计算机的云功能，以激发全新的软件应用和人机界面创新。
2.基于32纳米制程，将射频和片上系统整合
英特尔是世界上唯一出货32纳米(1纳米相当于1米的十亿分之一)制程产品的半导体厂商，也是唯一一家采用高-k/金属栅极技术的公司。这种技术提供了更卓越的处理器性能和能效。
现在，英特尔的工程师们已经开发出一种新版本的芯片制造工艺技术——首次将射频功能和系统芯片(SoC)整合，可满足移动通信设备对低功耗芯片的需求。
新增加的功能系列包括：高频性能的三晶体管架构、很低的漏电功耗、优秀的噪声性能和高击穿功率放大器晶体管。最后一项对于CMOS功率放大器集成Wi-Fi、WiMAX、Cellular、GPS等射频应用来说是必需的。新工艺也通过DNW层和高电阻底层提供了噪声隔离，还包括高质量电感、电阻和变容二极管。
据称，这是英特尔32纳米制程技术的第三代：第一代面向处理器，第二代面向系统芯片，第三代则提供射频和系统芯片的集成。
3.研发22纳米更大容量存储器
现在的CPU通常包含大容量片上高速缓存存储器，以加快代码和数据的存取，从而提高整体性能和降低功耗。英特尔的工程师们正在寻找途径，使这些存储更加密集，一方面增加其容量并提高性能，另一方面缩小其尺寸以降低生产成本。
英特尔的方案是用浮体单元(floatingbodycell，FBC)来替代当前使用的6晶体管SRAM单元。英特尔在2010年超大规模集成电路技术研讨会展示了其研发进展，在一篇论文中介绍了22纳米的FBC存储器，适用于大批量Bulk晶圆生产，早期试验表明，它比绝缘硅(SOI)晶圆在成本上便宜很多；另外一篇论文介绍了如何在一个FBC存储器的背栅(backgate)中选择性地掺入杂质，而不污染设备的其它部分，这对于一个22纳米的微小元件来说是一个“高难动作”。
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