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[导读]台湾半导体制造公司(TSMC)已经重申,将兴建其首座450毫米(18英寸)的中试生产线将在2016年到2017年为客户提供10nm和7nm FinFET晶体管代工技术。台积电也希望采用极端紫外线(EUV)光刻技术来生产10nm芯片,相关生产设备

台湾半导体制造公司(TSMC)已经重申,将兴建其首座450毫米(18英寸)的中试生产线将在2016年到2017年为客户提供10nm和7nm FinFET晶体管代工技术。

台积电也希望采用极端紫外线(EUV)光刻技术来生产10nm芯片,相关生产设备将在2017年底进场。

台积电300mm晶圆厂经营副总裁表示,设备供应商之前对是否生产18英寸晶圆制造设备犹豫不决,不过,业内人士现在意识到晶圆过渡到18英寸的必要性。目前,每一个主要的设备制造商,他们R&D资本支出当中,有15%拨给18英寸晶圆生产设备开发制造。

台积电希望到2015年底,完成安装18英寸晶圆制造所需大部分设备,并预计在2016年和2017年之间建造其第一个18英寸的中试线。台积电的18英寸设备将主要代工生产出10nm和7nm芯片。

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