[导读]台塑集团旗下DRAM厂南亚科和华亚科在50纳米制程转换吃足苦头,第2季仍处于亏损状态,近期决定全面加速转进42纳米,南亚科42纳米制程更将抢先在2010年第4季进入量产,全力转亏为盈,并共同宣布三度上修资本支出,南亚
台塑集团旗下DRAM厂南亚科和华亚科在50纳米制程转换吃足苦头,第2季仍处于亏损状态,近期决定全面加速转进42纳米,南亚科42纳米制程更将抢先在2010年第4季进入量产,全力转亏为盈,并共同宣布三度上修资本支出,南亚科从新台币220亿元提升至300亿元,华亚科则从520亿元提升至580亿元,2010年合计资本支出近900亿元,让其它DRAM厂望尘莫及。
南亚科和华亚科2010年从奇梦达(Qimonda)70纳米沟槽式(Trench)技术,转进至美光(Micron)50纳米堆叠式(Stack)技术,可说是吃足苦头,眼睁睁看着尔必达(Elpida)阵营的力晶和瑞晶上半年交出亮丽获利成绩单,南亚科和华亚科第2季仍处于亏损,因此,2家公司决定加速42纳米制程量产,将成本降到最低,试图挽回获利。其中,南亚科与美光共同研发42纳米制程是50纳米微缩版,已在6月初试产,并于7月成功产出,预计第4季进入量产。
南亚科和华亚科同步宣布三度调高2010年资本支出,创下金融风暴之后,台系存储器厂资本支出连3升的纪录,主要便是为将42纳米进度提前,将机台设备先拉进来。其中,南亚科2010年初最早预定资本支出仅190亿元,之后调升到220亿元,近期最新出炉版本是300亿元,南亚科计划在第3季底办理上限6亿股现金增资,是2009年至今南亚科第4次大手笔募资计画。
华亚科2010年初原本规划资本支出为450亿元,之后提升至520亿元,近期宣布三度提升至580亿元,将部分2011年资本支出提前到2010年来执行,目的亦是为提早42纳米制程量产计画,华亚科计划9月试产42纳米,2011年中大量转进。
值得注意的是,针对40纳米世代应采用铜制程或铝制程,美光和尔必达阵营看法不同,南亚科表示,42纳米DRAM制程导入铜制程技术,其铜的导电性和可靠度均远优于铝制程,在未来更进一步微缩制程上,铜制程绝对更具竞争优势。另外,50纳米制程相较于70纳米可降低50%成本,而导入42纳米制程后,制造成本将比50纳米再降低30%,待2010年底大量转进42纳米制程,成本结构将相当具竞争力。
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