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半导体封装篇：低成本的铜引线键合引人注目
时间：2010-12-13 06:14:00
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[导读]2010年，半导体封装业界，以铜引线键合为代表的低成本封装技术吸引了众多目光。虽然将来有望出现基于TSV（硅贯通孔）的三维积层等创新技术，但目前的通货紧缩对策成为最重要的课题。
2010年1月，SEMI公布了关于铜
2010年，半导体封装业界，以铜引线键合为代表的低成本封装技术吸引了众多目光。虽然将来有望出现基于TSV（硅贯通孔）的三维积层等创新技术，但目前的通货紧缩对策成为最重要的课题。
2010年1月，SEMI公布了关于铜引线键合的调查结果。调查结果显示，有41％的半导体厂商使用铜引线键合。封装技术相关展会“NEPCON JAPAN 2010”，也指出了以铜引线键合为首的低成本封装技术的重要性。
走在此类低成本封装技术前列的，是日本国外的后工艺专业厂商。例如，在铜引线键合的购买比例中，台湾占到全球的39％，菲律宾占到全球的18％，日本仅占3％。先行者——台湾日月光集团（ASE Group）表示，“采用铜引线键合的封装供货量截至2010年9月累计达到了10亿个，实现了不亚于金线的质量”。另外，台湾日月光集团预计2010年底的累计供货量将达到20亿个，年底之前将购买4000台铜引线键合装置。
日本也在推进铜引线键合的开发工作。例如，富士通半导体已经开始量产铜线产品，今后还准备扩大生产规模。不过，难以实现如同金线产品那样的稳定生产，因此富士通半导体表示“估计铜线产品的比例在2012年也只有几十％的水平”。
TSV及三维技术也取得进展
另外，关于采用TSV的三维积层等前瞻技术，其技术开发工作也正在稳步推进中。例如，尔必达存储器为了量产采用TSV的新一代DRAM，正加速进行技术开发。尔必达存储器有两大目的。一个是通过积层多个DRAM内核来实现“超大容量DRAM”，另一个是实现以高带宽连接逻辑LSI和DRAM的“超宽I/O”。
关于后者，尔必达存储器已宣布将与台湾力成科技（Powertech Technology，PTI）和台湾联华电子（United Microelectronics，UMC）合作。此外，TSV开发方面的相关合作动向也引人注目，例如住友精密和法国CEA-Leti将就新一代TSV的技术开发合作等。
使用无线方式而非TSV连接积层间芯片的技术也广受关注。日本庆应义塾大学教授黑田忠广等人的研究小组，开发出了可以三维积层129个半导体芯片的磁场耦合技术。将该项技术用于内存卡的研究也正在进行之中。（记者：木村 雅秀）
台湾日月光集团的铜引线键合技术（点击放大）
2010年1月，SEMI公布了关于铜引线键合的调查结果。调查结果显示，有41％的半导体厂商使用铜引线键合。封装技术相关展会“NEPCON JAPAN 2010”，也指出了以铜引线键合为首的低成本封装技术的重要性。
走在此类低成本封装技术前列的，是日本国外的后工艺专业厂商。例如，在铜引线键合的购买比例中，台湾占到全球的39％，菲律宾占到全球的18％，日本仅占3％。先行者——台湾日月光集团（ASE Group）表示，“采用铜引线键合的封装供货量截至2010年9月累计达到了10亿个，实现了不亚于金线的质量”。另外，台湾日月光集团预计2010年底的累计供货量将达到20亿个，年底之前将购买4000台铜引线键合装置。
日本也在推进铜引线键合的开发工作。例如，富士通半导体已经开始量产铜线产品，今后还准备扩大生产规模。不过，难以实现如同金线产品那样的稳定生产，因此富士通半导体表示“估计铜线产品的比例在2012年也只有几十％的水平”。
TSV及三维技术也取得进展
另外，关于采用TSV的三维积层等前瞻技术，其技术开发工作也正在稳步推进中。例如，尔必达存储器为了量产采用TSV的新一代DRAM，正加速进行技术开发。尔必达存储器有两大目的。一个是通过积层多个DRAM内核来实现“超大容量DRAM”，另一个是实现以高带宽连接逻辑LSI和DRAM的“超宽I/O”。
关于后者，尔必达存储器已宣布将与台湾力成科技（Powertech Technology，PTI）和台湾联华电子（United Microelectronics，UMC）合作。此外，TSV开发方面的相关合作动向也引人注目，例如住友精密和法国CEA-Leti将就新一代TSV的技术开发合作等。
使用无线方式而非TSV连接积层间芯片的技术也广受关注。日本庆应义塾大学教授黑田忠广等人的研究小组，开发出了可以三维积层129个半导体芯片的磁场耦合技术。将该项技术用于内存卡的研究也正在进行之中。（记者：木村 雅秀）
台湾日月光集团的铜引线键合技术（点击放大）
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