武汉新芯：成就国内半导体存储器领路人

12月12日，工业和信息化部软件与集成电路促进中心(CSIP)在江苏南京举办以“推动整机与芯片联动，打造集成电路大产业链”为主题的“2013中国集成电路产业促进大会暨第八届‘中国芯’颁奖典礼”，慧聪电子网记者受邀参与会议。会议期间，受邀采访到来自武汉新芯董事长兼总裁王继增先生。



武汉新芯董事长兼总裁王继增

据了解，武汉新芯集成电路制造有限公司是建国以来湖北省单体投资规模最大的高科技制造项目，是国家认定的首批重点集成电路生产企业。主要采用90纳米及更高工艺技术水平生产12英寸存储类逻辑芯片，包括动态存储器（DRAM），静态存储器（SRAM），闪存（FLASH）等，这些产品是各类消费类电子产品的核心部件广泛应用于如计算机、数码相机、MP4、数字家电、手机、显示器等领域。半导体作为国家战略部署产业，武汉新芯受惠于国家政策以及资金的支持。

王继增先生在采访中表示，新芯目前积极同国内微电所、知名院校进行合作，布局尖端的技术领域。同时表达出愿与行业上下同仁，共同打造产业生态环境。

全球应用NOR闪存技术的产量保持在35亿到40亿的规模，由于在低容量市场收到廉价NAND器件的冲击，所以其市场容量近一年下降了近10%，新芯会将产量维持在定量生产。其中45nm技术已做到8G，达到国际领先水平。

对于公司未来的发展，王继增先生指出，在OEM代工市场，中芯国际等企业已经达到较高的发展水平，新芯将走差异化的发展，在分析国内外市场之后，发现3D NOR技术封装将是未来发展的重点方向，集成电路在技术研发中，会发现伴随着芯片的压缩，其成本会大幅度提高。2015年3D NOR将替代2DNOR实现高速发展水平。

从全球来看，3D NOR市场还在起步阶段，目前只有三星产出样品，新芯将在此项技术加大投入，决心成为中国存储半导体领先企业。3D NOR的发展相比芯片萎缩会节约大量的成本，国内市场需求占据全球近半数，在保证45nm技术的同时，进行3d技术提升，并将揉合mobile rom设计，伴随着终端设备功能的不断完善，对芯片的需要也逐年增加，技术要求也增强。新芯的目标打造ISM（集成次系统组件）制造商，进行自有存储品牌生产。