[导读]就在市场普遍关注晶圆代工厂的28纳米制程竞争之际,晶圆代工龙头台积电(2330)仍积极将现有技术升级为特殊技术制程产能,原因就是持续看好行动装置及智能穿戴装置的强劲成长动能,包括嵌入式快闪存储器(eFlash)、
就在市场普遍关注晶圆代工厂的28纳米制程竞争之际,晶圆代工龙头台积电(2330)仍积极将现有技术升级为特殊技术制程产能,原因就是持续看好行动装置及智能穿戴装置的强劲成长动能,包括嵌入式快闪存储器(eFlash)、CMOS影像传感器、指纹辨识元件、微机电及光感测元件等,都是台积电未来2~3年的布局重点。
台积电董事长张忠谋在上周法说会中,特别提及特殊技术重要性,因为行动装置及智能穿戴装置的ARM架构核心处理器芯片,会大量用到28纳米以下先进制程,但其它的类比或感测芯片同样重要,而这些芯片虽不需应用到先进制程,但现有的6寸或8寸成熟制程仍需升级之后,才能生产出符合市场需求的芯片。
张忠谋提及,特殊技术制程未来几年将见到明显成长,包括高电压电源管理IC、嵌入式快闪存储器微控制器(eFlash MCU)、陀螺仪等微机电、CMOS影像传感器等最被看好。
当然,随着行动装置及智能穿戴装置在功能上的推除出新,台积电也推出许多特殊技术制程因应客户需求,包括将感测芯片及镜头堆叠在一起的新技术、指纹辨识需应用到的混合讯号制程、应用在近场无线通讯(NFC)及触控IC上的eFlash技术等。
台积电过去几年将成熟制程发展,列出MR. ABCD的新策略,锁定6大产品线发展。根据台积电规画,包括微机电及微控制器(MEMS & MCU)、射频芯片(RF)、汽车及类比芯片(Automative & Analog)、电源管理芯片使用的高压BCD制程、影像传感器(CMOS Image Sensor)、及显示器驱动芯片(Display)等。6大产品线取其第一个英文字母,就成为了MR. ABCD策略。
分析师指出,台积电MR. ABCD过去几年拿下不少订单,现在行动装置及智能穿戴装置中,采用成熟制程的新功能芯片成长快速,台积电利用原本基础投入新一代特殊技术开发,这个策略及转变已运行一段时间,也得到不少客户青睐。
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