英特尔14nm制程延迟

对英特尔(Intel)爱尔兰员工来说，现在有一个好消息，就是他们可以早点回家。但坏消息是，他们能提早回家，是由于据传该厂的进度延宕。
《爱尔兰时报》(Irish Times)近日报导，在决定延迟推出其位在Leixlip的Fab 24厂的 P1272 14nm 制程后，英特尔日前决定让派驻在美国进行生产培训的600名爱尔兰员工先调回家。

这些员工已针对 14nm 制程接受了培训。英特尔在今年稍早证实，其 Fab 24 将是继美国奥勒冈州的D1X厂，以及美国亚利桑那州Fab 42厂后，首个加入14nm生产的海外生产据点。据传英特尔花费了超过10亿美元来翻新Fab 24厂，以确保未来的产能。

据《泰晤士报》(The Times)报导，爱尔兰14nm制程量产时间将延迟半年，到2013年底，主因在于需求放缓，而非技术问题。然而，报导也指出，由于此一延迟，英特尔可能会重新考虑在爱尔兰量产14nm制程的策略。

这对欧洲无异是雪上加霜，因为英特尔是当地最大的私人公司，员工数达4,500多人。

欧盟对这家愿意投资爱尔兰的领先晶片制造商一直抱持着鼓励的态度。欧盟认为，奈米电子学是实现未来技术的关键，他们不愿意看到这些技术离开欧洲大陆，即使拥有这些技术公司都来自彼岸的美洲大陆，如英特尔和 Globalfoundries 。

谈到Globalfoundries──英特尔的竞争对手之一时，有趣的一点在于，英特尔的14nm技术将是其第二个以FinFET技术为基础的制程节点，而Globalfoundries的的 14XM 制程本质上则是用于替代平面电晶体，自 20nm FinFET 制程改良而来。

这意味着直到2014年， Globalfoundries 的 14XM 制程将会成为首个不运用微缩晶片面积作为节省成本方法的过渡型制程节点。对手机晶片公司而言，能降低晶片面积进而降低功耗，是他们经常用以推动技术进展的方式。

英特尔的 1272 则预计2013年底推出，它应该会比之前的 P1270 22nm 制程更加微缩及降低功耗。但要在原子级实现微型化并不容易。尽管英特尔已经表示，它并不需要超紫外光微影，而是可使用193nm光学微影技术，但这对成本和良率都可能带来影响。

若英特尔能如期在2013年推出 P1272 ──无论是两座或三座晶圆厂能量产，能确保这家晶片制造商的声誉。

另一方面，若事实证明 P1272 14nm 有技术问题需要解决，如以绝缘层上覆矽作为起始晶圆，那么，延迟到2014年将对英特尔作为全球领先晶片公司的声誉造成严重打击。

编译： Joy Teng

(参考原文： London Calling: Intel's 14-nm process delay ，by Peter Clarke)