Molecular Imprints将为半导体量产提供先进微影设备
时间：2012-10-01 07:48:00
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[导读]Molecular Imprints, Inc. (MII)宣布，该公司已经获得一份包含多个压印范本的采购订单。这些范本将被整合进某半导体设备公司的微影机中，包括 MII 专有的最新 Jet and Flash 压印微影(J-FIL)技术，这项技术具备先进半
Molecular Imprints, Inc. (MII)宣布，该公司已经获得一份包含多个压印范本的采购订单。这些范本将被整合进某半导体设备公司的微影机中，包括 MII 专有的最新 Jet and Flash 压印微影(J-FIL)技术，这项技术具备先进半导体储存设备大量产所需的性能。
该公司的 J-FIL 技术已经展示了24奈米图案结构，其刻线边缘粗糙度小于2奈米(3西格玛)，临界尺寸均匀性为1.2奈米(3西格玛)，可扩展至10奈米，使用的是简单的单一图案制程。 J-FIL 避免功率受限的远紫外线(EUV)光源、复杂的光学透镜和镜面以及利用超灵敏光致抗蚀剂让图案成形的难度，这些固有的拥有成本优势使其非常适合用于半导体储存器的制造。
Molecular Imprints 的 Jet and Flash 压印微影(J-FIL)技术将在2014年用于半导体储存器的生产。该公司总裁兼执行长 Mark Melliar-Smith 表示，Molecular Imprints的设备和商用面具合作夥伴与内部团队已经对开发活动进行了协调，并在去年取得了巨大的进步，特别是在减少不合格和降低整体 拥有成本(CoO)方面有了很大的改善。该公司期望 J-FIL 技术的下一步商业化进程可为半导体储存器的未来发展提供支援。
该公司的 J-FIL 技术已经展示了24奈米图案结构，其刻线边缘粗糙度小于2奈米(3西格玛)，临界尺寸均匀性为1.2奈米(3西格玛)，可扩展至10奈米，使用的是简单的单一图案制程。 J-FIL 避免功率受限的远紫外线(EUV)光源、复杂的光学透镜和镜面以及利用超灵敏光致抗蚀剂让图案成形的难度，这些固有的拥有成本优势使其非常适合用于半导体储存器的制造。
Molecular Imprints 的 Jet and Flash 压印微影(J-FIL)技术将在2014年用于半导体储存器的生产。该公司总裁兼执行长 Mark Melliar-Smith 表示，Molecular Imprints的设备和商用面具合作夥伴与内部团队已经对开发活动进行了协调，并在去年取得了巨大的进步，特别是在减少不合格和降低整体 拥有成本(CoO)方面有了很大的改善。该公司期望 J-FIL 技术的下一步商业化进程可为半导体储存器的未来发展提供支援。
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