联电攻20奈米 杠台积 获IBM技术授权 加速CMOS制程开发

晶圆双雄争抢20奈米地盘鸣枪起跑! 晶圆代工「二哥」联电（2303）攻进20奈米，昨（29）日宣布已取得IBM技术授权，将以FinFET 3D电晶体，促进次世代先进20奈米CMOS制程开发，与最快年底试产的台积互别苗头。

联电昨天下午宣布已取得IBM所授权技术，这项好消息也反映在股价上，昨天股价一路放量攻高，终场收在涨停价12.9元，单日成交量更放大至7万张以上。


联电指出，据双方协议，IBM将授权其20奈米设计套件以及FinFET技术给联电，联电将可运用这些技术，加快推出这些制程给客户采用的时程，对于公司财务、业务将具正面助益。

联电先进技术开发副总陈一浸表示，联电身为全球晶圆专工领导者，必须掌握先机适时推出尖端制程，以协助客户实现其次世代晶片设计。借重IBM的专业技术来缩减联电20奈米与FinFET研发周期，将为该公司与客户创造双赢。这项研发将在联电位于南科的研发中心进行。

联电与IBM两家公司的协议内容包括IBM的20奈米CMOS与FinFET技术，联电指出，内部自行研发的20奈米平面（planar）制程，将与IBM的设计规则与制程／元件目标同步，未来FinFET技术将针对行动运算与通讯产品，做为更强化的低耗电技术选项。

联电表示，28奈米制程才正要量产，在取得IBM技术授权后，将可加速20奈米制程开发时程，但目前并没有时间表，整体试量产时间还要视客户端需求而定。

随着联电宣布投入20奈米与3D IC研发，代表晶圆双雄的战场又将由28奈米制程延伸到20奈米。

为扩大28奈米制程的领先优势，并提前跨入20奈米制程，台积电已于4月底宣布拉高资本支出至80亿元到85亿美元，预期台积电的20奈米制程最快可在今年底、明年初试产，并于明年底、后年初正式量产，拉大与竞争对手的差距。

【记者谢佳雯／台北报导】