现场演示光刻工序，Fab系统研究会展示“微型Fab”制造装置

放入有晶圆的“微型硅梭” （点击放大）

光刻胶涂布装置（点击放大）
意在将半导体生产线的最小投资单位削减一个数量级的日本产综研（产业技术综合研究所：AIST）联盟的Fab系统研究会，其正在开发的“微型Fab”用制造装置在“Semicon Japan 2011（2011年12月7～9日，幕张MESEE国际会展中心）”上展示，并向参观者演示了光刻工序。半导体工序通常在极洁净环境下设置专用大型装置来实施。均需花费数十亿日元金额，设置时间也长达数月。而此次只用了不到1天时间，设置了3台从数百～数千万日元的制造装置就实现了。

该研究会正在开发的“微型Fab”使用12～13mm（0.5英寸）的小晶圆，用294mm×1440mm×294mm的标准化制造装置实施工序处理。晶圆密封在可保持净洁度的专用小盒（微型硅梭）内，因此无需将设置制造装置设在无尘室。装置价格为数百万～数千万日元水平，最小投资单位可从原来的数千亿日元削减至数亿日元（当然，生产规模也呈数量级式缩小）。

半导体制造装置的开发首先需要开发光刻相关装置。原因是不确立光刻工序就无法对蚀刻装置及成膜装置形成的带图案晶圆进行评测。此次开发出了极小Fab使用的光刻装置，因此带着向半导体技术人员宣传以及吸引合作企业加入联盟的意图，现场演示了光刻工序。

现场演示按每30分钟一次的预定实施。首先由演示者手工操作在光刻胶涂布装置上设置极小硅梭。然后展示了晶圆在装置中被自动搬运，在内部实施表面处理、旋涂式涂布光刻胶、预烘干，再被送回极小硅梭中的情形。接着，将硅梭移至曝光装置，这时晶圆会用同样的搬运系统移动到装置内，以采用DLP的无掩模曝光技术烙上测试图案。最后在显像（Developing）装置中使光刻胶显像。每个装置的处理所花费时间都为数分钟，一连串光刻工序用10分钟就完成了。

当场用显示微镜观察处理后的晶圆，可见1μm图案等实际曝光的部位。另外，此次曝光装置的实力为0.7μm或0.5μm。当场展示的观察影像虽然也存在光刻胶残留、图案未形成的部分，但据介绍这是在未对温度等实施控制的会场上实施的，因此问题并非出在浓度变化上。实际上，在刚刚设定好条的早上曝光的晶圆就未发生这样的问题，而形成了清晰的图案，其观察影像也在会场做了展示。（记者：长广 恭明，Tech-On！）


采用DLP的无掩模曝光装置（点击放大）

显像装置（点击放大）

显微镜观察影像（1μm和0.5μm线宽/线距图案）（点击放大）

显微镜观察影像（开孔图案）（点击放大）