联电与ARM携手前进28奈米制程世代

晶圆代工大厂联华电子(UMC，以下简称联电)与处理器核心供应商 ARM 共同宣布，双方已签订长期协议，将提供联电客户使用经联电 28奈米HPM制程验证的 ARM Artisan Physical IP 解决方案。
联电的 28奈米 HPM 制程，针对广泛的应用产品，包含手提式产品，像是手机与无线产品等，以及高效能应用产品，像是数位家庭与高速网路产品等。结合了两家公司的优势，此次合作将会为双方客户带来优质的技术与支援服务。

「我们很高兴联电选择了先进的ARM Artisan实体IP来支援其28奈米HPM制程。双方客户将可以取得完整实体IP 解决方案，尤其适用于高效能处理器的设计，例如ARM Cortex-A 系列。」 ARM 实体IP 部门执行副总裁暨总经理Simon Segars表示。

联电负责客户工程与IP研发设计支援副总简山杰表示：「此次由联华电子赞助的研发计划，使我们客户能在联电多样化的尖端制程上，采用最完整的ARM实体IP解决方案，进而掌握关键市场先机，达到更快速的产品上市时程。」

拥有HK/MG元件架构优异的效能与极低漏电特性，联电的gate-last 28奈米HPM制程技术可提供多种不同的元件电压，记忆体单元与underdrive / overdrive能力，以协助晶片设计公司开发出能兼顾高效能与更长的电池使用时间的产品。联华电子的28奈米HPM制程预计于2012年中进入试产。