英特尔IDF展示3D电晶体

林凯文／综合外电 英特尔(Intel)于13日举行的科技论坛(Intel Developer Forum；IDF)中展示其3D电晶体制程技术，并指出该公司于研发新制程方面领先众对手近3年。

英特尔资深研究员Mark Bohr指出，在该公司导入应变矽(strained silicon)时，其竞争对手在3年后的2007年才成功导入，而在金属闸(High-K Metal Gate；HKMG)上超微(AMD)也花了4年才终于在2011年开始生产。如今的3D电晶体，根据Global Foundries估计，最快将可在2015年导入。

其对手中，Global Foundries为超微生产处理器晶片，而其它如台积电、三星电子(Samsung Electronics)等则为ARM制作大部分用于平板电脑及智慧型手机的处理器。

论坛主轴则为展出3D电晶体，Bohr解释其为基于鳍式场效电晶体(FinField-effecttransistor；FinFET)制程的产品，并透过该结构成功增加电晶体通道数量。此外，对于新产品效能，Bohr宣称其22奈米制程的电晶体在同样的电压下效能较以往提升37%，相对达到节能环保效果。

英特尔表示将推出3种电晶体，分别为高效能、高漏电型(~100 nA/um)，普通效能、低漏电型(~1 nA/um)及仅能支援低时脉的低效能、超低漏电型(~0.02 nA/um)。高效能将可用于桌上型? q脑及伺服器，而普通效能则可用于Ultrabook及平板电脑，而低效能则适合如智慧型手机等可携式产品。

Bohr指出，3D电晶体将于2012上半年与Ivy Bridge一同推出。但英特尔目前仅有1座位于奥勒冈州的D1D研发晶圆厂有足够设备生产? 驮龤A因此Bohr也表示，未来将产线扩大至5座晶圆厂。