联电推eEEPROM新制程

晶圆代工大厂联电（2303）昨（30）日宣布推出嵌入式可电删可编程唯读存储器（eEEPROM）新制程，技术研发上也有突破性进展，联电将推出I/O电压范围为1.8V至5V，写入抹除耐久性为100万次的解决方案，嵌入式eEEPROM可应用于包含银行金融卡、智能卡、身分识别卡以及微控制器等产品，大幅提升元件电池寿命与可靠度。

联电此次推出的eEEPROM新制程，I/O电压范围为1.8V至5V，在延长手持式应用产品电池寿命上，拥有优异的表现。联电表示，标准的2.5V/3.3V或1.8V/3.3V输入电压，需要双元件与电压调整器，才能达到这些固定电压以外的范围，而联电的eEEPROM解决方案，则仅需单一元件，且不需要额外的电路，即可提供1.8V至5V可变电压范围，此高弹性高效率的系统单芯片制程，可同时兼具更小尺寸与更长电池寿命等2项优势。

而在耐久性，除标准的10万次之外，联电现提供100万次写入抹除循环，作为eEEPROM解决方案的另一选择。藉由此一高效能技术，联电客户将可推出能大幅延长产品寿命高可靠度嵌入式存储器元件。

联电的eEEPROM技术目前已于0.35微米与0.25微米制程量产，并于0.18微米制程试产，0.11微米制程正在研发中，预计于明年初推出。