[导读]泡泡网显卡频道2月14日 来自台北的消息,台积电近日宣布开始计划投资共100亿美元左右的资金,来开发450mm晶圆工厂项目,预计该项目将在2013年正式投产,2015年将会在其基础上进行20nm制程产品的研发,并实现真正量产
泡泡网显卡频道2月14日 来自台北的消息,台积电近日宣布开始计划投资共100亿美元左右的资金,来开发450mm晶圆工厂项目,预计该项目将在2013年正式投产,2015年将会在其基础上进行20nm制程产品的研发,并实现真正量产。
通过之前的信息可以知道,台积电第二家宣布投资450mm晶圆计划的芯片厂(第一家为Intel)。若此项目能按时完成,那么台积电的芯片制作工艺将大幅超越三星和GlobalFoundires,并接近Intel的水平。在德国芯片技术论坛中,台积电首席技术总监曾提到建造450mm的晶圆厂,对于降低成本具有重大意义。
据知情人士透露,台积电将逐步在Fab12工厂的第四期厂房中安装450mm晶圆试产生产线,该地点选在台湾新竹科技园区内。而最终的量产生产线,将逐步在Fab15厂的第5期厂房中安装。
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据业内消息,台积电目前规划在日本的产能扩充,并且将生产先进制程工艺,除了现在熊本县的工厂之外,日本政府也欢迎台积电在日本其他地方进行进一步规划选址。虽然台积电目前没有做出明确的表态,但是正在研究可行性。
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早前,就有消息称台积电或将在9月份正式量产3nm工艺,预计于第三季下旬投片量将会有一个大幅度的拉升,而第四季度的投片量会达到上千的水准并且正式进入量产阶段。
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据业内信息报道,全球晶圆代工龙头台积电继之前将3nm制程工艺的量产时间由外界预计的9月底推迟到第四季度后,再一次将其延后一个季度,预计将于明年才能量产。
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