[导读]微影设备大厂艾司摩尔(ASML)首台深紫外光(EUV)机台已正式送到客户端进行装机,日前,ASML也用EUV机台试产出首片27奈米半间距(half pitch)的芯片。不过,目前EUV除成本高昂外,光罩检测与光阻为目前EUV进入量产的两大
微影设备大厂艾司摩尔(ASML)首台深紫外光(EUV)机台已正式送到客户端进行装机,日前,ASML也用EUV机台试产出首片27奈米半间距(half pitch)的芯片。不过,目前EUV除成本高昂外,光罩检测与光阻为目前EUV进入量产的两大难题,使得EUV是否能来的及进入量产仍困难重重。
ASML虽已产出27奈米半间距芯片,但由于该芯片设计为实验性质,与实际量产、形状多变复杂的设计,仍有相当大的差距,因此对业界来说,仅具代表性意义。
目前ASML的第1台EUV微影机台NXE:3100已正式出货,在2011年中前,还有5台将陆续出货,至于量产型NXE:3300机台,将有8套订单在2012年开始出货。
然而,就整个半导体制程来说,光罩检测已被业界认为是22奈米最严重的问题;由于EUV微影设备售价昂贵,因此假设1个厂房中有20台微影机台,客户恐仅愿意设置1台光罩检测机台,使得检测设备需求相对少了许多,因此也降低厂商开发意愿。检测设备相关厂商如科磊(KLA-Tencor)。
若进一步推到16奈米,光阻将成为最大的难题,如光阻敏感度(photosensitivity),线边缘粗糙度(Line Edge Roughness;LER),以及线宽粗糙度(Line Width Roughness;LWR)等问题,目前尚未? }发出规格符合且可量产用的光阻。相关投入厂商包括陶氏化学(Dow Chemical)、信越及Sumitomo等。
其实最令业界忧心的是,外围设备及材料供货商,大部分公司规模无法长期投入重金,进行EUV技术的研发,若这些供货商出现断层,恐影响整个EUV技术的成熟度,并拖迟EUV进入量产的时程。因此,目前业界也有部分产业联盟组织,协助外围供货商寻求资金奥援。因此未来包括台积电、全球晶圆(Global Foundries)等EUV的潜在使用者,都可能必须投资设备厂,以维持EUV供应链的完整。
身为EUV阵营主要推手之一的比利时微电子研究中心(imec)认为,EUV技术最快于2014年可望技术量产,而应用内存制程又将早于逻辑制程。若以ASML将于2012年开始出货量产型的NEX:3300机台来算,乐观者认为,可能2013年,EUV技术就可进入量产;反之,悲观者则认为,由于供应链不健全,恐延至2015年。
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