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TSMC宣布三项能加速系统规格至芯片设计完成时程（system-to-IC design cycles）的创新技术

时间：2010-06-08 06:35:00

关键字： DESIGN SYSTEM TSMC 芯片设计

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[导读]TSMC 7日宣布扩展开放创新平台服务，增加着重于提供系统级设计、类比/混合讯号/射频设计（analog/mixed-signal (AMS)/RF），以及二维/三维集成电路(2-D/3-D IC)的设计服务。TSMC亦同时针对上述新增的服务，宣布开放创

TSMC 7日宣布扩展开放创新平台服务，增加着重于提供系统级设计、类比/混合讯号/射频设计（analog/mixed-signal (AMS)/RF），以及二维/三维集成电路(2-D/3-D IC)的设计服务。TSMC亦同时针对上述新增的服务，宣布开放创新平台的三项创新技术。

TSMC自2008年推出促进产业芯片设计的开放创新平台后，帮助缩短产品上市时程，改善设计投资的报酬，并减少重复建构设计工具的成本。此开放创新平台包含一系列可相互操作支援的各种设计平台介面、及合作元件与设计流程，能促进供应链中的创新，因而创造并分享新开发的营收及获利。例如目前用于生产的iPDK、 iDRC、 iLVS、iRCX、逻辑参考流程、 Integrated Signoff Flow与射频参考套件等。

TSMC研究发展副总经理暨副主管及设计暨技术平台副总经理许夫杰表示：「TSMC的开放创新平台提供完整且创新的设计技术服务，能降低先进技术的进入门槛，同时减少设计成本并缩短产品上市时程。新扩展的开放创新平台将新增着眼于提供系统级芯片设计的设计服务，能降低系统级芯片设计的成本及复杂性，并将整个电子系统置入于多芯片的封装中。」

开放创新平台服务扩展蓝图

TSMC的开放创新平台原系着眼于低耗电、高效能、小尺寸和高共通性为主，新扩展的开放创新平台将更进一步，着眼于电子系统级设计（electronic-system level，ESL）、虚拟平台（virtual platforms）与高阶合成（high-level synthesis，HLS）的合作设计生态环境。此外，新扩展的开放创新平台具备65纳米、40纳米及28纳米之类比、混合讯号与射频的设计方法；同时，亦提供与二维/三维与创新的硅中介层（silicon interposer）及硅穿孔（through silicon via，TSV）制造能力相关的多芯片封装设计服务。

TSMC开放创新平台结合电子自动设计化（EDA）、硅知识产权、硅知识产权软件、系统软件与设计服务伙伴，以加速系统级设计、降低系统级设计成本、加速由系统规格至芯片设计完成时程，与缩短产品上市时程为目标。

TSMC设计建构行销处资深处长庄少特进一步表示：「设计生态环境必须超越它目前的限制，并有效掌握每项设计的中心环节－系统级技术的挑战。两年前，TSMC开放创新平台已为设计生态环境合作订立了标准；现今，TSMC因应市场需求，在相同的合作精神下，扩增系统级芯片设计服务。」

开放创新平台的全球化设计生态环境合作计划，拥有三十家电子自动设计化伙伴、三十八家硅知识产权伙伴、二十三家Design Center Alliance（DCA）伙伴与九家Value Chain Aggregator （VCA）伙伴，每个伙伴均参与一个以上的开放创新平台合作计划。TSMC同时开始和IPL Alliance、 Si2等产业组织合作，推广以TSMC所采用的电子自动设计化为范本的共通性标准。