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高通与台积电携手开发28nm工艺，2010年中期委托台积电生产
时间：2010-01-13 08:18:00
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[导读]美国高通（Qualcomm）与台湾台积电（TSMC）将就28nm逻辑LSI的工艺开发与制造展开合作。台积电计划从2010年中期开始为高通量产28nm产品。高通将在该公司的便携终端用芯片组“Snapdragon”等产品上采用28nm工艺。
美国高通（Qualcomm）与台湾台积电（TSMC）将就28nm逻辑LSI的工艺开发与制造展开合作。台积电计划从2010年中期开始为高通量产28nm产品。高通将在该公司的便携终端用芯片组“Snapdragon”等产品上采用28nm工艺。
两公司将要合作开发的是，新采用高介电率（high-k）栅极绝缘膜与金属栅极技术的高速（HP）版工艺技术，以及沿用SiON栅极绝缘膜技术的低功耗（LP）版工艺技术。
高通目前采用通过向多家代工企业委托生产来确保产品稳定供应的IFM（Integrated Fabless Manufacturing）模式。1月7日已与美国Globalfoundries就尖端CMOS的共同开发和委托生产签署了合作备忘录（MOU）。（记者：大下 淳一）
两公司将要合作开发的是，新采用高介电率（high-k）栅极绝缘膜与金属栅极技术的高速（HP）版工艺技术，以及沿用SiON栅极绝缘膜技术的低功耗（LP）版工艺技术。
高通目前采用通过向多家代工企业委托生产来确保产品稳定供应的IFM（Integrated Fabless Manufacturing）模式。1月7日已与美国Globalfoundries就尖端CMOS的共同开发和委托生产签署了合作备忘录（MOU）。（记者：大下 淳一）
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