亚太晶圆代工厂2009年下半扮演资本支出复苏推手 存储器后段封测跟进

SEMI World Fab Forecast最新出炉报告，2009年前段半导体业者设备支出下滑，其中第1季的资本支出便较2008年第4季下滑26%至32亿美元。然而，资本支出在2009年第2季便已呈现落底，目前在整个产业供应链也已经看到稳定回升的讯号，其中晶圆代工厂2009年下半年扮演资本支出复苏推手，存储器晶圆厂、后段封测则跟进。

晶圆代工厂台积电宣布，增加2009年资本支出回复到2008年19亿美元的水平，比起原本的预测提高了26%左右。随后，台积电第2季的投资法人说明会上，台积电又进一步提高了2009年资本支出到23亿美元，甚至超越了2008年的金额。此大额的投资金额主要将用于扩充40、45奈米及更先进的制程技术产能。

时序进入2009年第3季，亚太区领先的晶圆代工都已经在第2季的营收及产能利用率方面回升反弹，预估第3季营运皆将较第2季持续成长。例如，新加坡特许半导体(Chartered)在2009年看到65奈米制程技术的强劲需求，决定提高资本支出幅度33%达到5亿美元，主要进行12寸厂Fab 7的产能扩充。另外一方面，联电也受到先进制程回温需求刺激，资本支出也从低于4亿美元提高到5亿美元。

而在存储器产业方面，其资本支出仍被视为2010年半导体设备商的主要成长动力。经过2年来的节缩成本之后，近期存储器晶圆厂首次呈现资本支出复苏的迹象。受惠于DRAM与Nand Flash业者控制供给的成效，2009年第1季已经可以见到记忆忆产品价格趋于稳定。

韩国的三星电子(Samsung Electronics)与海力士(Hynix)已经先后宣布提高2009年下半资本支出。由于存储器产品价格稳步趋坚，以及主要的PC OEM业者需求改善，这2家存储器龙头纷纷继续推进其制程技术的进程，以期能维持成长的动力与满足市场的需求。例如三星打算提高半导体事业部门的资本支出以求保持其在产业内的领先地位；海力士也表示，下半年会提高DRAM与NAND Flash的资本支出金额，预期2009年底完成44奈米DRAM与32奈米Nand Flash产能建置；台湾DRAM晶圆厂主要的投资约会落在2010年。

后段封装测试方面，在第2季时候受到上游晶圆代工厂强劲需求的影响，产能利用率皆已明显提升。台湾主要的封装测试业者由于受到先进制程与特定应用的强劲需求，也提升其资本支出规画，主要是在后段晶圆凸块(wafer bumping)与晶圆级封装(WLCSP)。在第1季所有的业者都承受极大的冲击，但是第2季从上游的晶圆代工端开始感受到复苏，预期进入下半年第3季起将可见更明显的健康成长信号，SEMI则是对2010年产业前景抱持谨慎乐观的态度。

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