安森美半导体在EV China 2019展示电动汽车和助推迈向自动驾驶的技术

推动高能效创新的安森美半导体，在7月3日至5日在上海举办的第13届上海国际节能与新能源汽车产业博览会(EV China 2019)，展示应用于汽车功能电子化、先进驾驶辅助系统(ADAS)、汽车照明和车身电子的方案和技术。

汽车领域正迅速迈向采用纯电动汽车(EV)，并采用将最终实现全自动驾驶汽车的精密ADAS。安森美半导体在这一领域处于技术前沿，持续开发和推出器件及集成的系统方案，以使强固、可靠并完全符合最新汽车标准的高性能电子成分遍及整个车辆。

安森美半导体在其展位上作演示，使观众深入了解和看到这些演示的应用的可能性。在汽车功能电子化领域，安森美半导体展示其符合车规的用于牵引逆变器的器件将直流电池电压转换为交流，包括最近推出的AFGHL50T65SQDC 650 V、50 A混合IGBT和碳化硅肖特基势垒二极管(SiC-SBD)技术，为汽车硬开关应用提供最佳性能。

此外，安森美半导体展示其宽禁带(WBG)技术，演示650 V SiC肖特基二极管晶圆及1200 V、80 mΩ SiC MOSFET晶圆。经AEC-Q 101汽车认证的SiC二极管和SiC MOSFET为重要的高增长终端应用领域如汽车DC-DC和电动汽车车载充电器应用带来宽禁带技术的使能、广泛的性能优势。SiC器件结合高功率密度和高能效工作，占位更小，可显著减小整个系统的尺寸并降低成本。

安森美半导体也了展示其支持自动驾驶的激光雷达(LiDAR)和图像感知技术，可互为补足用于精密ADAS和自动驾驶方案。

其它演示令观众清晰地了解安森美半导体用于电动汽车充电桩、先进LED照明及车身电子应用的方案，如插电式混合动力汽车(PHEV)和EV的正温度系数(PTC)加热、泊车辅助和静音工作冷却风扇等。