Intel 10nm HPM/GP工艺的ARM架构SoC年底流片

 近日消息，据外媒报道，尽管在一些领域已经有明显竞争的Intel和ARM宣布将建立广泛的合作关系。

其中一个表现形式就是，基于ARM IP的很多芯片将采用Intel的22nm FFL和10nm HPM/GP工艺代工。

比如，ARM今年年中发布的Cortex-A55，已经基于Intel的22nm FFL，实验在了智能手机上实现主频2.35GHz(0.45V电压)。

更令人激动的是，基于Intel 10nm HPM/GP工艺的ARM架构SoC将不迟于今年底流片。它基于的是下一代Cortex-A(A75或者更高?)，实现了3.5GHz主频、0.5V电压，而单核最高功耗只有不到0.9瓦(骁龙820单个Kyro大核约2瓦)。

目前，Intel的14nm已经用在展讯的x86移动芯片上，但x86制约了展讯在广泛的消费级市场大展拳脚。同时，为了进一步增加营收，Intel才在北京的“精尖制造日”上强调，代工一定会放开。

资料显示，同样是10nm，Intel表示每平方毫米可以放1亿个晶园体，台积电呢只有4800万，而三星也不过才5160万，按照Intel的说法，同概念制程领先对手3年。

至于Intel 10nm工艺的ARM芯片会是谁，目前唯一有消息流出的就是LG。