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[导读]芯片专家ChipWorks近日拿到了三星Galaxy Note 3,而且有AT&TLTE版本和3G通用版本两款。二者外表看上去没啥不一样,但内部大为不同(如果能加上双卡版就完美了)。 LTE版 3G版初步拆解后可以看到,零部件和主板布局也是

芯片专家ChipWorks近日拿到了三星Galaxy Note 3,而且有AT&TLTE版本和3G通用版本两款。二者外表看上去没啥不一样,但内部大为不同(如果能加上双卡版就完美了)。

 

LTE版

 

3G版

初步拆解后可以看到,零部件和主板布局也是大同小异,但到了芯片层次上就迥异了。

 

LTE版零部件

 

3G版零部件

 

LTE版主板正面

 

3G版主板正面

 

LTE版主板背面

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3G版主板背面

LTE版的处理器是高通骁龙800MSM8974,四核心,2.3GHz,3G版则是三星自己的Exynos54201.9GHz八核心,二者都隐藏在三星LPDDR33GB内存之下,PoP封装。

可以发现,ExynosPoP芯片周围的互连焊球更多,右侧和上方都是三行,显然与内存的联系需要更多“通道”。

 

LTE版处理器

 

3G版处理器

以下是两个版本的详细规格对比表,很明显LTE版是高通的天下,3G版则是“大杂烩”。

 

 

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MSM8974ARAGORN2内核照片

 

MSM8974ARAGORN2内核标记

IMX135是索尼最新的手机图像传感芯片,将传感器堆叠到了图像处理器之上,通过TSV硅穿孔技术连通,更加紧凑。

IMX135内核照片和TSV通道

IMX135TSV硅穿孔侧视图

CypressCapsenseCY8C20055按钮控制器

CypressCapsenseCY8C20055按钮控制器近照

AvagoACPM-7600前端模块

MurataSWUA天线切换模块

theMurataSWUA模块PeregrineC9941芯片内核照片

PeregrineC9941内核标记
 

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