2015年开始3D NAND Flash将取代2D NAND Flash

新芯是国内一家12英寸集成电路制造企业。该公司只生产12英寸晶圆，目前产能还比较小(每月有1万多片)，产品包括NOR Flash和BSI(背照式)图像传感器。该公司董事长王继增表示，公司定位从一开始就是生产NOR Flash，制程覆盖90nm、65nm、45nm，32nm技术正在做研发。NOR Flash的技术比较特殊，新芯可以在45nm单芯片做到8G的容量。因为NOR Flash的量不是很大，全球每年大概就是35~45亿美元的市场规模，而且在一些低容量的市场受到NAND Flash的侵蚀，所以这块的产能维持在1万多片，不会去扩容。另外的BSI产品则是与美国的OV公司合作，会根据市场需求扩一定的量。

“我们也在考虑下一个做什么。分析了国际国内市场，我觉得NAND Flash是一个方向，特别是3D NAND Flash，集成电路物理制程会走到一个极限，再往下缩线宽成本会很高，用三维技术就可以避免这个难题，所以三维是一个非常好的方向。”王继增说道。

“预计2015年后3D的NAND Flash开始迅速发展，而传统的2D NAND Flash会快速地被3D产品所取代。”王继增表示，“未来我们的定位是中国的存储器专业厂商，计划是利用两年的时间把3D NAND Flash做出来。NAND Flash全球规模有350~400亿美元，国内市场就占了50~60%，市场很大，但是国内没有存储器厂商。为什么只做3D的而不做2D是因为做2D机会不大，我们的技术较国外落后很多，每一代研发成本也很高，很难在2D成功。3D不需要靠微缩增加容量，而是靠堆叠，也就是靠刻蚀的功底。这方面技术国外公司也是刚刚开始，所以是很好的一个切入点。”

据了解，3D NAND Flash的堆叠层数越多，容量越大，与2D技术相比在同样面积和线宽下可以拓展很大容量。当然，其生产设备与2D的也不一样，制造中有一道特殊的刻蚀工艺，即多层一起刻蚀，这个技术要求很高，需要重点突破。