库存跌价预期,4月上旬NAND Flash合约价再降
时间:2012-04-20 09:54:34
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[导读]根据全球市场研究机构TrendForce旗下DRAMeXchange的调查,进入传统销售淡季后,零售通路与OEM客户的需求力道持续疲软,使得4月上旬NAND Flash合约价下跌4-8%。在未来终端需求能见度不高的情况下,NAND Flash买方为了
根据全球市场研究机构TrendForce旗下DRAMeXchange的调查,进入传统销售淡季后,零售通路与OEM客户的需求力道持续疲软,使得4月上旬NAND Flash合约价下跌4-8%。在未来终端需求能见度不高的情况下,NAND Flash买方为了降低库存跌价损失的风险,下单动能趋于保守,除非卖方能给予更具吸引力之价格优惠。上述买方的预期心理,使得卖方继续面临庞大的降价压力。然而,在这一波卖方持续杀价竞争之后,不仅获利水平被侵蚀,而且降价刺激买气也已效果不大,这让NAND Flash卖方逐渐倾向维持价格的稳定。预期在淡季效应以及NAND Flash卖方销售策略转向下,未来价格将呈现缓跌的走势。
移动存储器与Bundle存储卡主流容量将升级
移动存储器出货量在2012年Q1仍是以4GB占大多数。但预期Q2在2ynm 64Gb TLC产出增加的情况下,价格诱因将开始吸引移动存储器模组厂商采用,使得8GB可望超越4GB,成为市场出货最大宗的主流规格。
Bundle存储卡市场,在2012年Q1则以2GB与4GB容量为主。然而随着NAND Flash原厂在Q2将推出4GB容量以上(含4GB)的2ynm等级成卡,以及2GB容量对于功能日益多元化的手机来说,已愈来愈无法满足需求,预料Bundle存储卡的主流容量将从2GB与4GB升级至以4GB容量为主。


Elpida Memory公司已推出针对便携CD播放器、汽车音响系统、DVD设备、硬盘驱动器、打印机、数字电视机和STB等数字消费电子设备而设计的新型16Mb同步DRAM (SDRAM)的样品。这种16Mb SDRAM产品适用于存储密度要求较低的消费电子设备。
此款JEDEC标准16Mb SDRAM产品采用1M字×16位的结构形式,利用Elpida的0.11μm工艺技术制成。这种产品的工作电压为3.3V和2.5V,采用50引脚TSOP封装。
这种16Mb数字消费SDRAM器件样品(元件号:EDS1616AGTA和EDS1616CGTA)现已开始供货。预计将于下月开始批量供货。此外,该公司还计划推出有效电流(IDD4)降低40%(由120mA降至70mA)和自刷新电流(IDD6)降低70%的(由1mA降至300μA)的低功率型产品。
移动存储器与Bundle存储卡主流容量将升级
移动存储器出货量在2012年Q1仍是以4GB占大多数。但预期Q2在2ynm 64Gb TLC产出增加的情况下,价格诱因将开始吸引移动存储器模组厂商采用,使得8GB可望超越4GB,成为市场出货最大宗的主流规格。
Bundle存储卡市场,在2012年Q1则以2GB与4GB容量为主。然而随着NAND Flash原厂在Q2将推出4GB容量以上(含4GB)的2ynm等级成卡,以及2GB容量对于功能日益多元化的手机来说,已愈来愈无法满足需求,预料Bundle存储卡的主流容量将从2GB与4GB升级至以4GB容量为主。


Elpida Memory公司已推出针对便携CD播放器、汽车音响系统、DVD设备、硬盘驱动器、打印机、数字电视机和STB等数字消费电子设备而设计的新型16Mb同步DRAM (SDRAM)的样品。这种16Mb SDRAM产品适用于存储密度要求较低的消费电子设备。
此款JEDEC标准16Mb SDRAM产品采用1M字×16位的结构形式,利用Elpida的0.11μm工艺技术制成。这种产品的工作电压为3.3V和2.5V,采用50引脚TSOP封装。
这种16Mb数字消费SDRAM器件样品(元件号:EDS1616AGTA和EDS1616CGTA)现已开始供货。预计将于下月开始批量供货。此外,该公司还计划推出有效电流(IDD4)降低40%(由120mA降至70mA)和自刷新电流(IDD6)降低70%的(由1mA降至300μA)的低功率型产品。





