2012年DRAM供给增长远小于2011年

DIGITIMES报告称，从2011年DRAM报价表现观察，延续2010年下半以来供过于求阴霾未减，让DRAM报价表现始终处于易跌难涨态势，加上导因于欧债问题延宕未决，欧盟亦未能提出具体有效解决方案，造成全球景气能见度大幅下降，亦让来自PC市场对DRAM需求顿时减弱，加大DRAM报价持续下修压力。

从供给面观察，虽包括尔必达(Elpida)、南亚科技(Nanya)等存储器制造商于2011年下半相继减产，力晶(PSC)更是以降低来自DRAM业务营收为策略目标，并朝向晶圆代工与中低阶快闪存储器制造等业务转型，就连存储器产业龙头三星电子(Samsung Eletronics)也将原本用于生产存储器产能Line 14、Line 9、Line 8等产能转到晶圆代工业务。

然而，三星于2010年5月开始兴建月产能20万片12寸晶圆、用于生产DRAM与NAND Flash等存储器产品的Line 16已于2011年9月正式投产，加上各DRAM厂商为提升成本竞争力，亦持续提高先进制程比重，这也造成全球DRAM产业虽有产能陆续退出与转型，但来自三星Line 16新增产能与各DRAM厂商制程升级所增加产能，仍让DRAM市场供给量缓步增加。在需求成长力道减弱的情况下，亦让自2010年下半以来全球DRAM市场供过于求状况始终未见改善。

以2011年主流规格DRAM产品1333MHz 2Gb DDR3报价为例，现货价于2011年2月见到2.26美元后便一路下跌，期间虽历经日本311地震，DRAM市场亦曾出现上游原料矽晶圆缺料疑虑，但2Gb DDR3现货价仅从1.99美元反弹至2.15美元，在历经2个营业日短暂反弹后重回下跌态势，至2011年11月下旬，2Gb DDR3现货价仅剩下0.71美元，与2.26美元高点相较，最大跌幅高达近7成。

而自2011年11月下旬，在尔必达与南亚科技减产效应发酵，让DRAM现货价跌势趋缓，甚至还出现小幅度的拉升，然而，在来自PC应用需求持续疲的预期下，预期标准型DRAM合约价与现货价仍有向下修正的空间。

展望2012年，在欧债问题悬而未决、全球景气充满不确定性的情况下，预期DRAM价格表现仍将相对保守，各DRAM厂除面对亏损扩大的风险外，保有现金部位将是当务之急，这也使得除三星外的主要DRAM厂在产能扩充的脚步都显得相当保守。

另一方面，亦导因于DRAM价格持续下跌，各DRAM厂商无不以提升成本竞争力为首要策略，包括美光、南亚科技、华亚科、尔必达等DRAM大厂皆纷纷往以30纳米为主次世代先进制程升级，易言之，2012年全球DRAM供给量的增加主因来自于先进制程升级所增加产能，新增产线扩充则相当有限，这也将使得2012年DRAM供给量成长力道远低于2011年，亦将有机会让于2010年下半以来全球DRAM市场供过于求的状况获得改善。

2011年以来 2Gb DDR3现货价与合约价变化

资料来源：DIGITIMES，2011/12