韩国发展DRAM引导发展趋势

韩国半导体产业在人才和技术都比较匮乏的情况下，通过引进国外技术、消化吸收，最后实现技术自有化。之所以取得成功，与韩国政府将半导体产业上升到国家级项目，最广泛组织起其国内业界优势资源结盟攻关密不可分，这也是韩国人选准DRAM为突破口高起点起步，并最终建立起自己半导体产业核心竞争力的关键因素。

韩国半导体产业是从上世纪60年代中期，利用海外资本从事晶体管封装为起点发展起来的，这期间韩国尽管没有专门的半导体产业扶持政策，仅是把半导体产业作为电子产业扶持政策的一个方面加以对待，但这造就了一批企业家创业，对促进民间资本向电子机械封装生产集中分配资源起到了推动作用。

韩国政府1982年发布的《半导体工业扶持计划》和《半导体扶持具体计划》明确提出，实现国内民用消费电子产品需求和生产设备的进口替代策略，形成一个完整的国内自给自足的半导体产业的发展目标。但在80年代初期，韩国民间企业并没有按照政府提出的产业方向发展，而是选择了生产面向国外工业用的DRAM，通过引进国外新技术和设备，采用产品出口的战略。

结果，韩国以OEM形式实现了半导体全工序生产能力。到了80年代后期，“官民一体”的DRAM共同研发项目所形成的良性互动，则促进了韩国半导体产业的飞速发展，DRAM的自主开发并形成初步的大规模生产能力。而随着DRAM实现大规模生产，韩国有了加入国际市场竞争的资本：通过品种多样化，相应发展起自己的设备和材料产业，提高了半导体生产技术的竞争能力。

到了90年代，韩国确立了IT立国战略方针，在研发、技术引进、建立经济特区等方面给予优惠政策，而对半导体产业则特别实行了具有国际竞争力的优惠政策。此外，在韩国政府重点择优扶植，促进大企业形成规模经济和国际竞争力背景下，韩国商工部根据企业业绩等条件确定三星集团为综合商社企业，在贸易行政、财政金融以及企业研发、设备投资等方面提供全面支持，这是今天的三星全方位形成国际领先水平的重要基础。

韩国DRAM产业的成功，是政府强力支持下的产学研联盟成功案例。1986年10月，政府将4M DRAM列为国家项目，目标是到1989年开发出和规模生产4M DRAM，完全消除与日本公司的技术差距。为达此目标，韩国政府推动了韩国三大半导体制造商：三星、LG和现代结盟进行技术开发，并由一个政府研究所——电子与电信研究所(EM)，作为这三大厂商和6所大学的协调者。3年中(1986-1989) 该R&D项目共投入了1.1亿美元，而政府承担了其中的57%研发经费，远超过其他国家的资金投入和政府在具体研发项目中介入的力度。

政府这只推手给韩国DRAM带来的变化是，当1983年韩国以64K产品进入DRAM领域时，技术上要落后美日4年时间。到1988年，三星在韩国三大企业中第一个宣布完成4M DRAM设计时，落后日本的时间已经缩短到6个月。而到1992年的64M产品时，韩国则与日本DRAM厂商技术上实现了同步。从256M DRAM开始，韩国则完全处于全球领先水平，并持续扩大自己在DRAM领域技术开发速度上的优势。

大公司战略构筑了韩国半导体产业的基石，而说到韩国半导体产业，就不得不提及三星（Samsung）。成立于1969年三星电子，是三星集团在电子行业的核心企业，成立初期的主营业务是白色家电，后来将业务拓展到半导体及通信设备行业等，时至今日，三星已经成为全球电子及半导体产品线最为齐全的公司。

1974年12月，三星通过收购韩国半导体进入了半导体产业，这就是后来的三星电子富川半导体工厂。1983年9月，三星开始自建第一个Fab，并以6个月的惊人效率建成投入使用。1984年，三星决定在其Fab中建设第二条生产线以生产6寸晶圆DRAM。当时，即使是像英特尔、日立和NEC这些技术领先者，也只是在他们的fab试产6英寸的晶圆。

由于DRAM价格周期性波动，以及支付专利使用费等多因素所致，到1986年，高速猛进的三星半导体累计亏损了3亿美元。但这并未动摇三星在DRAM制造业中取得成功的决心，为此，三星不但没有采取保守战略暂停投入，反倒是分批追加投资并开始了面向1M DRAM的更高技术领域开发。

1987年，三星在DRAM的投资终于取得了回报，所获利润完全抵消了所有累计的亏损。三星电子半导体事业部总裁李雨润的心得是：“存储业是这样一个行业，如果你不能在过去进行适当的投资，那么你也不可能在下一次行业兴盛时赚到钱。你应该在这次行业兴盛期获得利润而将其再次投资以等待下一次行业的兴盛期。”