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IBM计划2年内推出新型纳米线磁畴存储器
时间：2011-01-13 10:48:34
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[导读]IBM超高密度 Racetrack 存储器开发又有新的进展，据称这一新型存储器同时具有硬盘超高容量与闪存微型、高速、耐用的特性。按照目前的开发进程，原型产品预估可望于2年内问世。据报导，Racetrack 存储技术首见于2004年
IBM超高密度 Racetrack 存储器开发又有新的进展，据称这一新型存储器同时具有硬盘超高容量与闪存微型、高速、耐用的特性。按照目前的开发进程，原型产品预估可望于2年内问世。
据报导，Racetrack 存储技术首见于2004年，当时由IBM旗下的Almaden Research Center研究人员Stuart Parkin所提出。目前Parkin所领导的开发团队，已确定在电流影响下，当存储位移动时，不会覆写先前存储的信息。
Racetrack 存储中信息位用域畴(Domain Walls)来代表，域畴是沿着纳米线分布的微小磁化区域（磁畴），在电流作用下，磁畴的极性会翻转，代表0与1的变化。与当前存储技术不同的是，纳米线若垂直嵌入芯片中，赛，Racetrack 存储器便可以3维方式存储信息。
据报导，Racetrack 存储技术首见于2004年，当时由IBM旗下的Almaden Research Center研究人员Stuart Parkin所提出。目前Parkin所领导的开发团队，已确定在电流影响下，当存储位移动时，不会覆写先前存储的信息。
Racetrack 存储中信息位用域畴(Domain Walls)来代表，域畴是沿着纳米线分布的微小磁化区域（磁畴），在电流作用下，磁畴的极性会翻转，代表0与1的变化。与当前存储技术不同的是，纳米线若垂直嵌入芯片中，赛，Racetrack 存储器便可以3维方式存储信息。
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