西安明科公司将携新产品亮相PCIM 2010中国上海展

作为新起之秀，西安明科微电子材料有限公司与西北工业大学合作开发了铝瓷（AlSiC – 铝基碳化硅颗粒复合材料）而西安明科公司（Xi’an Miqam Microelectronics Materials Co., Ltd）是目前中国区唯一具备独立知识产权并可产业化生产这种封装材料的厂家。

铝碳化硅（AlSiC）金属基热管理复合材料，俗称铝瓷，是功率电子器件专用封装材料，通过将铝合金渗入高体积分数的碳化硅多孔陶瓷预制型，复合成为低密度、高导热率和低膨胀系数的封装材料，以解决电子电路的热失效问题。

现阶段铝碳化硅（AlSiC）广泛应用于高功率大电流IGBT基板、散热板（可水冷）、微波电路基座（军用、航空、航天、民用通信基站）、电力电子热沉、基板、倒装芯片盖板、光电转换器外壳、LED导热柱等方面。

2010年PCIM展会期间将亮相的该铝瓷材料产品，具有其以下几个特点：

→   高导热率（180-200W/mK）和可调的热膨胀系数（6.5-9.5X10-6/K），从而使电子器件的可靠性和稳定性得到大幅提升。

→  因其是复合材料，其热膨胀系数等性能可通过改变其组成而加以调整，因此产品可按用户的具体要求而灵活地设计，能够真正地做到量体裁衣，这是传统的金属材料或陶瓷材料无法作到的。

→  AlSiC的密度与铝相当，比铜和Kovar轻得多，还不到Cu/W的五分之一，特别适合于便携式器件、航空航天和其他对重量敏感领域的应用。

→  AlSiC的比刚度（刚度除以密度）是所有电子材料中最高的：是铝的3倍，是W-Cu和Kovar的5倍，是铜的25倍，而且AlSiC的抗震性远比陶瓷好，因此是恶劣环境（震动较大，如航天、汽车等领域）工作环境下的首选材料。目前高电流IGBT基板的首选材料就是铝瓷。

→  AlSiC可采用净成形手段铸造成形，适合大批量加工的工业化方式生产，成本低于钨铜、钼铜的同时，在大尺寸件与形状件的生产方面，也远优于钨铜、钼铜。

→  AlSiC可以镀镍、镍磷、镍硼、金等，表面也可以进行阳极氧化处理。

→  金属化的陶瓷基片可以钎焊到镀好的AlSiC基板上，用粘结剂、树脂可以将印制电路板芯与AlSiC粘合。

→ AlSiC本身具有较好的气密性。但是，与金属或陶瓷封装后的气密性取决于合适的镀层和焊接。

→  AlSiC的物理性能及力学性能都是各向同性的。