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旺年华与通芯微电子签署代理协议

时间：2008-09-18 06:51:34

关键字：微电子 D类音频功率放大器 Silicon 低功耗

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[导读]旺年华(Avanlane)公司日前宣布，与通芯微电子(Go2silicon)公司签署代理协议，合作推广通芯微电子公司产品。通芯微电子(Go2silicon)有限公司成立于硅谷，专注于模拟和混合信号集成电路芯片的设计开发，通芯微电子创

旺年华(Avanlane)公司日前宣布，与通芯微电子(Go2silicon)公司签署代理协议，合作推广通芯微电子公司产品。

通芯微电子(Go2silicon)有限公司成立于硅谷，专注于模拟和混合信号集成电路芯片的设计开发，通芯微电子创新设计的低功耗、高性能D类音频功率放大器，可使客户开发成本更低、品质更高具有竞争力的消费类电子产品。Go2silicon的尖端设计并生产的D类音频功率放大器可广泛应用于手机、MP3 MP4播放器、PDA等产品上。

旺年华(Avanlane)电子有限公司将Go2silicon公司的GSI8010A和GSI8890A纳入库存，此两款产品都是具有高性能低成本的D类音频功率放大器。旺年华公司为美国Mouser在中国的合作伙伴，有着分销领域的本土优势，并拥有20万个设计工程师的广大客户群。其销售渠道以及对音频功率放大器的专业定位，可为国内客户提供便捷的D类音频功率放大器解决方案及技术支持。

GSI8010A是一个低成本、低功耗、低EMI的单声道D类音频功率放大器，可完全替代TPA2010、NCP2820、MAX9700。该芯片利用其专利ESF(EMI Suppression Function)技术和架构，使其具有更强的抗电磁干扰能力。并具有先进的盲区控制维持和低THD+N性能。GSI8010A采用CSP封装，无需在输出端使用耦合电容。且为无滤波器的D类音频功率放大器，并提供过热和短路保护。其可驱动4欧的负载并提供2.5W的功率，工作效率高于85%，并仅需3个外围器件。GSI8010A具有高达-75dB的电源抑制比(PSRR)，低至0.2%的总谐波失真加噪声(THD+N)及90dB的信噪比，并内嵌有click and pop抑制电路，降低在启动与停止时可听见的噪音。

GSI8890是一款具有高效率、低功耗、低电磁干扰，拥有2.5W输出的音频放大器芯片。该芯片节省了输出端的耦合电容，为便携式音频播放器节省了空间和成本，其工作电压为2.5V-5.5V。其可驱动4欧的负载并提供2.5W的功率，工作效率高于85%。该芯片利用其专利ESF(EMI Suppression Function)技术和架构，使其具有更强的抗电磁干扰能力。并具有先进的盲区控制维持和低THD+N性能.其无需滤波器，并仅需三个外围器件，并提供过热和短路保护。GSI8890A具有-70dB的电源抑制比(PSRR)和低至0.04%的总谐波失真加噪声(THD+N)及85dB的信噪比(SNR)。并内嵌有click and pop抑制电路，降低在启动与停止时可听见的噪音。其可替代LM4890, LM4990，但在INN(A1)脚与VOUTN(C2)脚之间是无需接电阻的。GSI8890可以对输入音频信号源选择不同的增益，同时具有休眠模式，使其功耗达到最小。此芯片广泛适用于低功耗、低电压的便携式音频播放设备。