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中芯国际首批45纳米芯片通过测试
时间：2008-12-11 09:22:34
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[导读]中芯国际12月8日宣布，第一批45纳米产品已成功通过良率测试，标志着其45纳米工艺进入一个新的里程。2007年12月与IBM签订45纳米低功耗和高性能芯片技术许可协议。中芯国际第一批完整工艺流程的300毫米芯片也是在IBM的
中芯国际12月8日宣布，第一批45纳米产品已成功通过良率测试，标志着其45纳米工艺进入一个新的里程。
2007年12月与IBM签订45纳米低功耗和高性能芯片技术许可协议。中芯国际第一批完整工艺流程的300毫米芯片也是在IBM的测试条件下取得了出色的良率。
中芯国际45纳米项目负责人俎永熙博士表示，“这是我们45纳米合作项目的第一个重要里程碑，为我们给客户提供IBM的技术与中芯国际完善的芯片代工服务铺平了道路。”
中芯国际已与一系列高端客户签订了45纳米代工协定，计划于2009年开始生产。
IBM授权的45纳米芯片技术可应用于3G手机、全球定位系统以及多媒体处理器。该技术还可以支持图形，网络，存储及一般消费性装置的生产制造。
中芯国际人士表示，这证明了专注于逻辑代工的策略是十分正确的，同时也使中芯国际能够为设计及系统厂商及时提供领先的45纳米芯片代工解决方案。
据介绍，45纳米技术为目前最先进的芯片制程技术。
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