NAND Flash哪家强？三星和SK海力士合力拿下全球52.9%的市场

近日，市场研究机构TrendForce发布的最新报告显示，在2022年二季度全球NAND Flash闪存市场，三星电子但仍稳居第一，SK海力士则超越铠侠跃居第二，这两家韩国闪存厂商合力拿下了全球52.9%的市场份额。具体来说，二季度三星电子NAND销售额为59.8亿美元，环比下滑5.4%，市场份额也由上一季度的35.3%，降至33%，但仍是全球第一大NAND厂商。

据路透社报导，知情人士透漏，就在美国“芯片法案”正式完成立法的之后，韩国存储芯片厂商SK海力士将在美国建设一座先进的芯片封装工厂，并将于2023 年第一季左右破土动工。

报导引用一位不愿透露姓名的消息人士说法表示，SK海力士赴美新建工厂的计划预计将耗资“数十亿美元”，未来将在当地创造1000个工作机会，并将于2025~2026 年进入量产阶段。该消息人士还指出，目前预计的工厂位置，可能在拥有工程相关人才的大学附近。

海力士半导体以超卓的技术和持续不断的研究投资为基础，每年都在开辟已步入纳米级超微细技术领域的半导体技术的崭新领域。另外，海力士半导体不仅标榜行业最高水平的投资效率，2006年更创下半导体行业世界第七位，步入纯利润2万亿韩元的集团等，正在展现意义非凡的增长势力。海力士半导体不仅作为给国家经济注入新鲜血液的发展动力，完成其使命，同时不断追求与社会共同发展的相生经营。海力士半导体为发展成为令顾客和股东满意的先导企业，将尽心尽责，全力以赴。在韩国有4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸生产线，在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线。2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位，中国市场占有率处于第一位。在世界各地有销售法人和办事处，共有员工15000人.海力士(Hynix)半导体作为无形的基础设施，通过半导体，竭尽全力为客户创造舒适的生活环境。海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品。

近期美国为限制中国大陆半导体产业的发展还打出一套组合拳。一方面，对华禁售14nm及以下先进制程设备，同时爆料还显示，美国还将对华禁售128层3D NAND制造所需的设备，以及与GAA(环绕栅极)相关的EDA工具。这也意味着，即使台积电、三星、SK海力士等芯片制造商未来即使想在中国大陆发展先进制程也将受限。

在此背景之下，将进一步迫使台积电、三星、SK海力士等芯片制造商重新考虑未来在中国大陆的投资布局计划，并将其吸引到对美国的投资。

韩国存储芯片制造商SK海力士今日表示，该公司成功研发出全球首款业界最高层数的238层512Gb TLC(Triple Level Cell)4D闪存芯片(NAND)样品，该芯片将于明年上半年实现量产。SK海力士表示，这是公司自2020年12月研发出176层NAND后时隔1年零7个月成功研发下一代新技术。尤其是新产品既拥有业界最高层数，也是目前最小的NAND产品，其意义重大。

据韩联社(Yonhap)今日引述未具名消息人士的话报导称，面对当前半导体需求转弱的情况，SK海力士董事会已于6月底决定暂缓清州(Cheongju)园区扩产方案，并考虑将2023年的资本支出削减25%至122亿美元。

资料显示，SK海力士今年5月时计划在韩国清州新建一座全新的NAND Flash芯片制造工厂M17，预计2023年初动工，最快2025年竣工。

全球领先的半导体供应商SK海力士已在中国市场深耕十余年。2020年，SK海力士宣布收购英特尔NAND闪存及存储业务，其中包括英特尔大连工厂。2021年，SK海力士顺利完成第一阶段交割。为加快推动项目发展，决定在大连继续扩大投资并建设新工厂。

SK海力士半导体(中国)总裁郑银泰表示，SK海力士将中国视为重要的合作伙伴，并始终保持着同中国的友好合作关系。在大连新建NAND闪存工厂的同时，SK海力士还通过追加投资对无锡、重庆工厂进行了产能扩充，并重点推进了8英寸晶圆代工合资厂、产业园、学校、医院等多个不同领域的在华项目。