ASML提升新EUV机台技术生产效率

微影设备大厂ASML积极提升极紫外线(EUV)机台技术的生产效率，在2012年购并光源供应商Cymer后，大幅提升光源效率，从2009年至今光源效率分别为2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦，2012年提升至20瓦，目前已达55瓦，每小时晶圆产出片数为43片，预计2013年底前，可达到80瓦的目标，2015年达250瓦、每小时产出125片。

半导体生产进入10纳米后，虽然可采用多重浸润式曝光方式，但在一片晶圆上要进行多次的微影制程曝光，将导致生产流程拉长，成本会大幅垫高，半导体大厂为避免摩尔定律面临极限挑战，因此积极投入EUV机台技术开发，延续半导体制程微缩、大幅降低成本的步伐。

2012年ASML发起的「客户联合投资专案」(Customer Co-Investment Program)，获得全球三大半导体客户台积电、英特尔(Intel)和三星电子(Samsung Electronics)投资，共同开发EUV机台技术和18寸晶圆的微影设备。

ASML认为EUV瓶颈是在光源上，因此2012年也购并光源供应商Cymer，积极提升光源效率，让EUV机台可应用在实际量产上。