东芝与美国闪迪联手在日组建新半导体工厂

据《日本经济新闻》报道，东芝将与全球最大的内存卡厂商美国闪迪联手在日本三重县新建数码家电存储媒体使用的半导体存储器的最尖端工厂。计划最早将于2014年度启动量产，投资额为4千亿日元(约合人民币252亿元)。这是东芝时隔约2年再次进行增产投资。届时，产能将提高2成。在日本半导体产业不断萎缩的背景下，东芝希望借此来提高竞争力，追赶该领域排名第1的韩国三星电子。

东芝与美国闪迪联手在日组建新半导体工厂

目前，东芝通过与闪迪的合资公司生产NAND型闪存。新工厂将在合资公司运营的日本三重县四日市市的厂区内建设。东芝与闪迪各出资50%，东芝将承担2千亿日元(约合人民币126亿元)左右。目前的产能按直径300毫米的晶圆计算，估计每月为45万片，而新工厂投产后产能每月可增加10万余片。

在日本的半导体业界，瑞萨电子决定关闭系统LSI(大规模集成电路)的最尖端工厂。尔必达存储器则打算在美国大型半导体厂商美光科技旗下实现重建。

在日本同行业不断萎缩的背景下，东芝在NAND型闪存的全球份额方面却仅次于三星屈居第二。据美国环球透视公司(IHS Global)调查，2012年按供货量计算，三星的份额为37%，东芝为31%。东芝希望通过大规模投资来缩小与三星的差距。

东芝计划利用新工厂的生产线量产线宽在16~17纳米的产品，而目前的产品线宽为19纳米。通过缩小线宽，可增加每片硅晶圆生产的半导体个数、提高生产效率，从而在价格竞争方面与超过三星。

另一方面，预计三星也最早将于2014年量产把几个芯片重叠在一起的尖端产品。由于三星和东芝分别投入最新技术，推进半导体的小型化和生产的高效化，因此，今后半导体竞争将进入新的阶段。

受08年雷曼危机影响，NAND型闪存需求曾大幅下滑，价格与个人电脑用的DRAM同时下跌。东芝去年夏季决定减产3成。不过，眼下得益于智能手机和平板终端的普及，行情开始复苏。东芝方面，来自美国苹果和中国企业的订单增多。再加上日元趋于贬值，从今年春季开始东芝的工厂一直处于满负荷开工状态。

因此，东芝决定投资200亿-300亿日元(约合人民币12.6-18.9元)，在四日市工厂的现有厂房内新增生产设备。东芝认为从中期来看市场将继续增长，因此决定实施投资。东芝打算在2015年度之前分阶段进行投资，如果行情出现恶化则将延长投资期限。