瞄准16/14nm检测需求 汉微科明年产能翻三倍

半导体电子束检测(E-beam Inspection)设备龙头汉微科正全速扩产。继28和20奈米(nm)之后，2015年晶圆代工厂纷纷跨入16或14奈米鳍式电晶体(FinFET)世代，对高解析度的电子束检测设备需求将更加强劲，因而带动汉微科提早展开布局，将于2013～2014年投入新台币10亿元扩建新厂房，并于2014下半年正式投产，挹注三倍设备产能。

汉微科财务长李学寒表示，自2012年开始，晶圆代工业者已逐步在28奈米先进制程中导入高阶电子束晶圆缺陷检测设备，以克服电晶体密度大幅微缩后，传统光学检测方案不敷应用的问题。随着一线晶圆代工厂争相在2013年推出20奈米制程，并接续于2014～2015年往下跨入16或14奈米世代，电子束检测设备需求更将显著上扬，预估今年产值将上看2亿美元，并于2014年飙升至3亿美元。

因应市场强劲需求，汉微科行销副总经理胡瑞卿强调，该公司已计划今明2年各投资新台币5亿元于南科辟建新的无尘室与设备产线，预估2014年下半年即可完工并随即加入量产行列，有助旗下电子束检测设备年产能三级跳，从现有的五十台跃升至一百五十台水准，全面满足晶圆厂部署20奈米以下制程的需求。

据悉，今年上半年汉微科已陆续接获20奈米晶圆的电子束检测设备订单;同时也与主要晶圆厂携手展开1x奈米FinFET晶圆检测技术合作，可望于2014年开花结果，挹注另一波电子束检测设备出货成长动能。

李学寒透露，晶圆厂正马不停蹄备战先进奈米制程，刺激半导体检测技术加快演进步伐，且相关设备需求也将逐年高涨。因此，汉微科将于今年底发表新一代eScan 500电子束检测设备，除将解析度推升至3奈米水准外，亦将整合跳跃式扫描系统(Leap Scan)和连续式扫描系统(Continuous Scan)，从而提高应用价值与吞吐量，巩固该公司目前在电子束晶圆检测领域市占高达八成的领先地位。 由于美、日传统光学检测方案供应商近来亦积极转战电子束应用领域，汉微科正致力开发更前瞻的技术，期拉开技术差距。李学寒表示，该公司下一代产品将朝2奈米以下超高解析度迈进，并采取多头布局策略，针对10奈米极紫外光(EUV)微影方案，以及三维晶片(3D IC)矽穿孔(TSV)制程研发相应的检测设备;同时还将加码投资多重光束电子束(Multi Column E-beam)技术，并于2014年底推出Beta版本设备，协助晶圆厂提高数倍1x奈米晶圆检测速度。

事实上，半导体业界认为，晶圆制程走到1x奈米后，光学检测几乎面临极限，电子束方案将顺势取而代之;汉微科主攻电子束检测可谓押对宝，自2011年晶圆厂开始部署28奈米时，该公司就已在半导体晶圆前段制程缺陷检测领域崭露头角，之后2年营收更屡创新高。今年第二季毛利率不仅维持70.4%，营收也达到新台币12亿8,796万元的出色表现，且预估第三季因客户积极准备量产20奈米，刺激相关检测设备需求，该公司营收仍将微幅成长。