台积电推出N7P和N5P制程

晶圆代工龙头台积电先进制程又有新产品推出!根据国外科技媒体报导，台积电已悄然推出 7 纳米深紫外 DUV(N7)和 5 纳米极紫外 EUV(N5)制程的性能增强版本。两代号称为 N7P 和 N5P 制程技术，专门为需要 7 纳米设计运算更快，或消耗电量更少的客户所设计。

报导指出，台积电全新 N7P 制程技术采用与 N7 相同设计规则，但优化前端(FEOL)和中端(MOL)架构，可在相同耗能下，将性能提升 7%，或者在相同的性能频率下，降低 10% 的能耗。

全新的 N7P 制程技术，台积电最早是于今年在日本举办的 VLSI 研讨会透露相关讯息，不过没有广泛宣传。N7P 目前采用经验证的深紫外(DUV)光刻技术，与 N7 制程技术相比，没有改变电晶体密度。针对需要电晶体密度高出约 18%~20% 的客户，台积电预计建议使用 N7+ 或 N6 制程技术。N6 制程技术是透过极紫外(EUV)光刻技术进行晶圆多层处理。

报导进一步指出，除了 N7P 的新制程技术，台积电下一个有显着电晶体密度提升、改进功耗和性能的主要制程节点，就是 5 纳米 N5 制程技术。台积电为此特提供定名为 N5P 的性能增强版本，采用 FEOL 和 MOL 优化功能，以便在相同功率下使芯片运行速度提高 7%，或在相同频率下将功耗降低 15%。