IEK：台系DRAM厂明年将陷入负向循环

工研院所举办的「2011科技发展趋势研讨会」今日正式登场，工研院(IEK)资深产业分析师彭国柱表示，韩国三星经过二个季度调整之后，快速拉升市占率，已突破2009年的市占高点，也掀起新一波的争夺战，在三星压倒性的胜利下，台系DRAM产业在明年恐将再度陷入负向循环。

彭国柱表示，从资本支出的角度来看，前十五大资本支出的公司，有7家为记忆体公司，而资本支出的前三大公司，包括三星、台积电(2330)以及英特尔，这三家就占了今年半导体产业资本支出的4成之多。尤其是三星宣布今年的资本支出提高至26兆韩圜时，更是震惊业界。

分析三星今年的26兆韩圜的资本支出，半导体部分的厂房设备资金达11兆韩圜，其中有9兆用于DRAM事业，包括新建Line-16的12寸晶圆厂，预计明年下半年正式完工投产，月产能规模达20万片。另外，还包括Line -15的30奈米制程转进，生产DDR3 2Gb，Line-10转为12寸。其馀的2兆韩圜则是用于晶圆代工、逻辑IC制程提升等。

彭国柱指出，三星自2007年第二季以来，市占率就逐渐回升，到了2008年第四季已达到31.1%，重新回到三成以上，并且在2009年第二季突破35%，经过二个季度调整后，已经来到40%的市占率，取得主导性地位。

反观台湾DRAM产业整体市占率则从2006年第三季之后，呈现强弩之末，2008年第四季进一步下滑，2009年第一季虽然缓步回升，但未来受到制程导入与机台安装速度不如南韩大厂，将使营运面临激烈的挑战。

彭国柱表示，记忆体产业2008年出现世代交替，全面进入12寸厂的扩充，并且将8寸厂除役，整个产业已经过完12寸晶圆厂世代交替的过程，在制程导入上，6X奈米之后的制程世代导入速度明显加快，可以看出，三星在4X奈米进程上遥遥领先，使得在这一波成本竞争中处于相对有利位置。

台湾DRAM公司受到技术母公司新制程开发进程影响较大，唯有取得足够资金，以及加快拉升新制程出货比重才能面对激烈的成本竞争压力。

从设备的角度来看，ASML的1950G/Hi为跨入5X奈米以下的必备机台，也是评估厂商未来5X奈米以下出货比重的重要指标。统计到今年为止，三星拥有30台，规模最为庞大，其次为海力士21台、美光阵营（包括南科(2408)、华亚科(3474)）15台、尔必达阵营（包括瑞晶(4932)、力晶(5346)）13台。

整体而言，彭国柱认为，三星不论是制程技术、先进机台数量双重领先优势下，将发动新一波的市占攻防战，原本今年，已经有部分台湾DRAM厂商已开始回至正向循环，但是在台湾DRAM产值在第二季爬到高点，达到576亿元新台币，之后就开始回弱，第四季也不甚乐观，明年恐将再陷入亏损、减产、财务恶化等负面循环。