【SID】夏普与半导体能源研究所的13.5英寸有机EL面板
时间：2013-06-26 17:12:00
[导读]夏普与日本半导体能源研究所在美国波士顿举行的“SID 2012”的研讨会首日（2012年6月5日，当地时间）召开的开发人员见面会上，公开了3840×2160像素的13.5英寸有机EL面板。这是两公司2012年6月1日在日本国内发布的产
夏普与日本半导体能源研究所在美国波士顿举行的“SID 2012”的研讨会首日（2012年6月5日，当地时间）召开的开发人员见面会上，公开了3840×2160像素的13.5英寸有机EL面板。这是两公司2012年6月1日在日本国内发布的产品。为确认其显示性能，大量技术人员蜂拥而至，见面会上人山人海、可谓是研讨会首日最受关注的产品。
开发品在驱动元件中采用了使IGZO层沿着c轴方向结晶生长的“CAAC（C-Axis Aligned Crystal）”构造氧化物半导体TFT。每个像素配备5个晶体管和1个电容器（5T1C）。
研讨会首日即2012年6月5日，夏普与半导体能源研究所联合发表了两场CAAC演讲（论文序号：9.2、15.1)。半导体能源研究所代表董事山崎舜平登台发表了CAAC构造的基本演讲，介绍了CAAC构造、低漏电流等特性以及用于显示器以外用途的可能性等。
在开发人员见面会上，两公司还公开了有机EL面板的性能参数。元件构造采用从TFT基板的相反侧取出光线的顶部发光式。通过结合使用白色有机EL发光材料、RGB三色彩色滤光片以及可利用多重反射的微腔构造，实现了彩色显示。并对低分子型白色有机EL发光材料进行了蒸镀处理。据介绍，面板的开口率为55.8％，全白显示时的亮度为100cd/m2左右。
另外，有机EL元件的详情预定在2012年6月6日（当地时间）发布（论文序号：27.4）。
图1会场挤满了人群
图23840×2160像素13.5英寸有机EL面板
图3 还公开了1280×720像素4.9英寸液晶面板
开发品在驱动元件中采用了使IGZO层沿着c轴方向结晶生长的“CAAC（C-Axis Aligned Crystal）”构造氧化物半导体TFT。每个像素配备5个晶体管和1个电容器（5T1C）。
研讨会首日即2012年6月5日，夏普与半导体能源研究所联合发表了两场CAAC演讲（论文序号：9.2、15.1)。半导体能源研究所代表董事山崎舜平登台发表了CAAC构造的基本演讲，介绍了CAAC构造、低漏电流等特性以及用于显示器以外用途的可能性等。
在开发人员见面会上，两公司还公开了有机EL面板的性能参数。元件构造采用从TFT基板的相反侧取出光线的顶部发光式。通过结合使用白色有机EL发光材料、RGB三色彩色滤光片以及可利用多重反射的微腔构造，实现了彩色显示。并对低分子型白色有机EL发光材料进行了蒸镀处理。据介绍，面板的开口率为55.8％，全白显示时的亮度为100cd/m2左右。
另外，有机EL元件的详情预定在2012年6月6日（当地时间）发布（论文序号：27.4）。
图1会场挤满了人群
图23840×2160像素13.5英寸有机EL面板
图3 还公开了1280×720像素4.9英寸液晶面板
下载文档
