FSI国际在上海宣布推出全新PlatNiStrip™镍铂薄膜的工艺

美国明尼阿波利斯，中国上海（2005年3月14日）--FSI国际有限公司（纳斯达克：FSII）今日在此间宣布推出一项新的研发成果，这项新的镍铂去除工艺旨在帮助集成电路制造商在65-nm技术节点实现自我对准金属硅化物(Salicide)的形成。FSI使用其ZETA®喷雾式清洗系统开发出了这项PlatNiStrip™工艺，并且与领先的集成电路制造商合作，在65-nm试验线设备上对该工艺进行了验证。这项低成本的工艺可以在标准的ZETA系统上采用行业标准的化学品实现。此次在上海举办的SEMICONChina 2005上进行的发布，表明了FSI愿意与中国领先集成电路制造商合作，把全球最先进的工艺技术介绍到中国。

IC集成电路制造商过去都采用镍硅化合物在65nm节点来实现自我对准金属硅化物的形成，但是在整个的工艺制程中，镍硅化合物可能不具备足够稳定的耐热性来满足各种温度。研究人员发现，加入少量的铂（约5%）可以大幅增加合成金属硅化物薄膜的热稳定性。但传统的镍去除方法如硫磺酸-过氧化氢解决方案，不能有效地去除铂，结果导致在晶圆表面存在铂的残留物。

FSI的新PlatNiStrip™工艺，通过混合酸方案的使用可以同时去除镍和铂且无残留，对于金属硅化物、氧化物以及氮化物有较高选择性，可以实现镍铂金属硅化物薄膜的集成。

“FSI在自我对准金属硅化物形成的金属物去除方面拥有长期而成功经验，这项工艺正是建立在此基础之上”FSI董事长兼首席执行官DonMitchell这样说到。“在自我对准金属硅化物金属去除应用方面，超过20家领先的集成电路制造商使用FSI批量喷雾清洗系统进行大批量生产。”

ZETA系统最适于这项应用，因为其特有的化学品混合及传送技术可确保刻蚀速度一致性和可选择性，因此具有稳定可靠的工艺性能。有关ZETA系统的进一步介绍，请访问FSI中文网站：http://china.fsi-intl.com。

“中国大陆的领先集成电路制造厂商越来越重视引入先进技术，上海正在成为一个新的半导体制造业技术中心，”DonMitchell补充道：“作为一家高度重视技术研发投入的领先公司，FSI愿意将其最先进的技术介绍给中国用户，这是我们选择在上海发布我们全新的65nmPlatNiStrip工艺的原因。”

FSIZETA喷雾式清洗系统包括用于200mm-300mm晶圆尺寸的全自动配置和用于200mm-150mm晶圆尺寸的半自动配置。实践证明ZETA系统的应用范围很广，包括FEOL光刻胶去除和灰化去胶后清洗、后段（BEOL）灰化后去胶后清洗、自我对准金属硅化物去除、晶圆凸块技术和晶圆回收。该系统运用离心喷雾技术，晶圆在一个密闭的氮气净化室中干进和干出。FSI的通用化学品传送技术在可控制化学品成分和温度情况下制备化学试剂，并直接输送到晶圆表面。ZETA系统售价为100万到280万美元。

----《通信世界》