新内存芯片材料实现速度高于闪存千倍
时间：2006-12-13 08:35:26
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[导读]北京时间12月12日消息，据国外媒体报道，由IBM、旺宏(Macronix)和奇梦达(Qimonda)等企业组成的研发团队近日表示，已开发出能制造高速“相变(phase-change)”内存的材料；与当前常用的闪存相比，相变内存运行速度高于
北京时间12月12日消息，据国外媒体报道，由IBM、旺宏(Macronix)和奇梦达(Qimonda)等企业组成的研发团队近日表示，已开发出能制造高速“相变(phase-change)”内存的材料；与当前常用的闪存相比，相变内存运行速度高于前者500~1000倍，能耗也将大幅度降低。
据悉该新型材料为复合半导体合金。IBM纳米科学部门资深经理斯派克
据悉该新型材料为复合半导体合金。IBM纳米科学部门资深经理斯派克
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