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TriQuint推出支持高通3G芯片组的最新WEDGE解决方案

时间：2010-04-28 08:35:26

关键字： TRIQUINT WEDGE 芯片组高通

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[导读]全球射频前端产品的领导厂商和晶圆代工服务的重要供应商 TriQuint 半导体公司(纳斯达克：TQNT)，日前宣布推出新型射频前端解决方案，支持高通(Qualcomm)*最新发布的3G芯片组。TriQuint此次推出的解决方案包括用于WCD

全球射频前端产品的领导厂商和晶圆代工服务的重要供应商 TriQuint 半导体公司(纳斯达克：TQNT)，日前宣布推出新型射频前端解决方案，支持高通(Qualcomm)*最新发布的3G芯片组。TriQuint此次推出的解决方案包括用于WCDMA的TRITON PA Module™系列和用于GSM/EDGE的HADRON II PA Module™功放模块TQM7M5013。该解决方案具有优异的性能、极低的耗电量以及业内最小尺寸规格等特点，适于满足包括数据卡、上网本、电子阅读器和下一代智能手机在内快速发展的移动设备市场需求。

这种WEDGE成套产品结合了TriQuint公司的高度优化的WCDMA和GSM/EDGE产品。TriQuint半导体的中国区总经理熊挺说：“我们正在建立在EDGE PAM的市场领导地位及积累我们为智能手机，数据卡和其它移动互联网设备(MID)等增长最快的市场提供产品的经验。每个无线设备越来越多频带驱动分立WCDMA放大器市场，也代表了市场份额扩张的重要机会。TriQuint公司一直致力于优化我们的技术，为业界领先的3G芯片组供应商提供一个高度竞争，完整的射频前端解决方案。先期主要用户很满意这款产品的性能和集成的路线图。我们预计该产品在2010年下半年将有强劲的市场采用率。”

最新3x3mm TRITON分立放大器模块系列涵盖所有主要的3GPP WCDMA频段，并且具有多模式操作的能力。TRITON产品提供了极低的耗电量和优异的散热性能，这对于目前功能丰富的智能手机和无线设备是至关重要的。TriQuint公司利用其专利制造工艺-铜凸倒装晶片(CuFlip™)和TQBiHEMT-来设计性能，尺寸，效率均优的TRITON系列产品。CuFlip工艺具有卓越的射频性能与设计灵活性，同时加快制造和装配;TQBiHEMT工艺使两个砷化镓(GaAs)进程集成到一个单芯片，减少元件数并节省电路板空间。这些流程可以让TriQuint公司使用单个芯片的模块来提供一个集成特性，而现今市场所有其他的解决方案需要多个芯片和/或复杂的装配过程，TriQuint的解决方案有着无法比拟的优势。

TQM7M5013是一种5x5mm四波段HADRON II功放模块，配合TRITON模块使用可提供WEDGE中的GSM/EDGE解决方案。其采用的创新架构有助于提高能效，延长用户通话时间。TQM7M5013为未来集成/多模放大器奠定了基础。与最近发布的3G高通芯片组配合使用, 高度通用的TQM7M5013已被配置于2010年中将推出的十几种平台。TQM7M5013是基于前一代HADRON产品TQM7M5012的成功基础上开发的，TQM7M5012占全球EDGE-Polar放大器市场50%1的份额。

WCMDA是增长最快的通信标准。根据高通季度区域性CDMA设备出货量预估²，2008-2009年WCDMA的增长率为17%，根据2010年的年中指导，2009至2010年预计增长28%。