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[导读]旨在推动非存储器领域的核心产品系统LSI技术革新的、韩 国产业资源部与科学技术部的联合项目——“系统集成半导体基础技术开发事业”的第四年度于今 年6月结束,从7月1日该项目已进入第五年度。 在第五年



旨在推动非存储器领域的核心产品系统LSI技术革新的、韩
国产业资源部与科学技术部的联合项目——“系统集成半导体基础技术开发事业”的第四年度于今
年6月结束,从7月1日该项目已进入第五年度。


在第五年度中,韩国政府计划在共计35个项目中投入389亿
7300万韩元(约合人民币2.74亿元)。系统LSI领域将集中开发高性能嵌入式处理器、微型计算机、
0.18μm EML设计技术和面向通信用途的LSI技术等。另外,还将通过铜布线技术、高介电质材料
和薄膜分析技术等的开发,来实现支持0.07μm的制造技术。同时将致力于面向300mm晶圆的氧化
物刻蚀装置及旋转刻蚀(Spin Etcher)装置等


摘自日经BP社


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